概览
描述
HIP2211 是一款 100V、3A 拉电流、4A 灌电流高频半桥 NMOS FET 驱动器。 HIP2211 具有标准的 HI/LI 输入，并与流行的瑞萨电子桥式驱动器（如 HIP2101 和 ISL2111）引脚兼容。 其工作电压范围宽达 6V 至 18V，并集成了高压侧自举二极管，可在 100V 半桥应用中驱动高压侧和低压侧 NMOS。
该驱动器具有强大的 3A 源电流、4A 灌电流驱动器功能，典型传播延迟 15ns，典型延迟匹配 2ns，是高频开关应用的理想选择。 VDD 和启动 UVLO 可防止欠压运行。
HIP2211采用 8 引脚 SOIC、8 引脚 4x4mm DFN 和 10 引脚 4x4mm TDFN 封装。
特性
- 可直接替代 ISL2111 和 HIP2101 8 引脚 SOIC、8 引脚 DFN 和 10 引脚 TDFN 封装
- 115VDC 半桥自举电源最大电压支持 100V
- 用于 NMOS FET 的 3A 拉电流和 4A 灌电流栅极驱动器
- 快速传播延迟和匹配：典型延迟 15ns，典型匹配 2ns
- 集成 0.5Ω 典型自举二极管
- 6V 至 18V 宽工作电压范围
- VDD 和启动欠压锁定 （UVLO）
- 强大的抗噪能力：输入端具有宽滞后；HS 引脚可承受高达 -10V 的连续电压
- HI/LI 输入 3.3V 逻辑电压，与 VDD 电压容差兼容
产品对比
应用
设计和开发
支持
常见问题
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HIP2210 / HIP2211 全桥启动顺序
... 建议在两个栅极驱动器IC中使用相同的RDT，以便于控制。使用HIP2211非常简单。只需提供电源电压，然后在将PWM信号提供给IC的 ...
2020年5月14日 -
HIP2210 / HIP2211 最大占空比
低端驱动器由VDD偏置，因此低端占空比没有限制，这意味着它可以保持在开关周期的100％。 只要启动电容器可以保持HB电源 ...
2020年5月14日 -
HIP2210 / HIP2211 最大时钟速率
栅极驱动器的工作频率高达1MHz，但实际最大时钟速率/开关频率取决于应用的功耗和IC的温度升高。影响热的因素还包 ...
2020年5月14日