概览
描述
HIP2211 是一款 100V、3A 拉电流、4A 灌电流高频半桥 NMOS FET 驱动器。 HIP2211 具有标准的 HI/LI 输入，并与流行的瑞萨电子桥式驱动器（如 HIP2101 和 ISL2111）引脚兼容。 其工作电压范围宽达 6V 至 18V，并集成了高压侧自举二极管，可在 100V 半桥应用中驱动高压侧和低压侧 NMOS。
该驱动器具有强大的 3A 源电流、4A 灌电流驱动器功能，典型传播延迟 15ns，典型延迟匹配 2ns，是高频开关应用的理想选择。 VDD 和启动 UVLO 可防止欠压运行。
HIP2211采用 8 引脚 SOIC、8 引脚 4x4mm DFN 和 10 引脚 4x4mm TDFN 封装。
特性
- 可直接替代 ISL2111 和 HIP2101 8 引脚 SOIC、8 引脚 DFN 和 10 引脚 TDFN 封装
- 115VDC 半桥自举电源最大电压支持 100V
- 用于 NMOS FET 的 3A 拉电流和 4A 灌电流栅极驱动器
- 快速传播延迟和匹配：典型延迟 15ns，典型匹配 2ns
- 集成 0.5Ω 典型自举二极管
- 6V 至 18V 宽工作电压范围
- VDD 和启动欠压锁定 （UVLO）
- 强大的抗噪能力：输入端具有宽滞后；HS 引脚可承受高达 -10V 的连续电压
- HI/LI 输入 3.3V 逻辑电压，与 VDD 电压容差兼容
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应用
文档
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| 类型 | 文档标题 | 日期 |
| 数据手册 | PDF 593 KB | |
| 宣传手册 | PDF 12.71 MB 日本語 | |
| 产品变更通告 | PDF 156 KB | |
| 产品咨询 | PDF 414 KB | |
| 手册 - 开发工具 | PDF 1.23 MB | |
| 手册 - 开发工具 | PDF 1.09 MB | |
| 白皮书 | PDF 295 KB | |
| 应用说明 | PDF 576 KB | |
8 items
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设计和开发
软件与工具
软件与工具
| Software title
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Software type
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公司
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| iSim:PE 离线模拟工具 iSim Personal Edition（iSim:PE ）可加快设计周期并降低项目早期风险，确定可用于当前和下一代设计的部件。
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Simulator | 瑞萨电子 |
1 item
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开发板与套件
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