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HIP2211

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100V、3A 拉电流、4A 灌电流高频半桥驱动器，带有 HI/LI 输入

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HIP2211 是一款 100V、3A 拉电流、4A 灌电流高频半桥 NMOS FET 驱动器。 HIP2211 具有标准的 HI/LI 输入，并与流行的瑞萨电子桥式驱动器（如 HIP2101 和 ISL2111）引脚兼容。 其工作电压范围宽达 6V 至 18V，并集成了高压侧自举二极管，可在 100V 半桥应用中驱动高压侧和低压侧 NMOS。

该驱动器具有强大的 3A 源电流、4A 灌电流驱动器功能，典型传播延迟 15ns，典型延迟匹配 2ns，是高频开关应用的理想选择。 VDD 和启动 UVLO 可防止欠压运行。

HIP2211采用 8 引脚 SOIC、8 引脚 4x4mm DFN 和 10 引脚 4x4mm TDFN 封装。

HIP2210, HIP2211 Block Diagram
HIP2210, HIP2211 Block Diagram
  • 可直接替代 ISL2111 和 HIP2101 8 引脚 SOIC、8 引脚 DFN 和 10 引脚 TDFN 封装
  • 115VDC 半桥自举电源最大电压支持 100V
  • 用于 NMOS FET 的 3A 拉电流和 4A 灌电流栅极驱动器
  • 快速传播延迟和匹配：典型延迟 15ns，典型匹配 2ns
  • 集成 0.5Ω 典型自举二极管
  • 6V 至 18V 宽工作电压范围
  • VDD 和启动欠压锁定 （UVLO）
  • 强大的抗噪能力：输入端具有宽滞后；HS 引脚可承受高达 -10V 的连续电压
  • HI/LI 输入 3.3V 逻辑电压，与 VDD 电压容差兼容

文档

设计和开发

软件下载
类型 文档标题 日期
PCB 设计文件
HIP2211EVAL3Z Design Files
ZIP 1022 KB
软件和工具 - 其他
HIP2210, HIP2211 Configuration Calculation Worksheet
XLSX 92 KB
PCB 设计文件
HIP2211EVAL2Z Design Files
ZIP 933 KB
3 项目

ECAD 模块

点击产品选项表中的 CAD 模型链接，查找 SamacSys 中的原理图符号、PCB 焊盘布局和 3D CAD 模型。如果符号和模型不可用，可直接在 SamacSys 请求该符号或模型。

扩展 ECAD 模块
Diagram of ECAD Models

模型
类型 文档标题 日期
模型 - iSim
HIP2211 iSim:PE Model
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