概览
描述
The N0400P is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current and 2. 5 V drive switching applications.
特性
- 2.5 V drive available
- Super low on-state resistance
RDS(on)1 = 40 mΩ MAX. (VGS = −4.5 V, ID = −7.5 A)
RDS(on)2 = 73 mΩ MAX. (VGS = −2.5 V, ID = −3.8 A) - Built-in gate protection diode
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| 类型 | 文档标题 | 日期 |
| 数据手册 | PDF 225 KB | |
| 指南 | PDF 796 KB | |
| 应用说明 | PDF 3.23 MB 日本語 | |
| 应用说明 | PDF 648 KB 日本語 | |
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4 项目
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