特性
- Low on-state resistance
RDS(on) = 4.2 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 50 A) - Low input capacitance
Ciss = 7730 pF TYP. (VDS = 25 V, VGS = 0 V) - High current
ID(DC) = ±100 A - RoHS Compliant
描述
The N0601N is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications.
产品参数
| 属性 | 值 |
|---|---|
| Qualification Level | Industrial |
| Nch/Pch | Nch |
| Channels (#) | 1 |
| Standard Pkg. Type | TO-263 / D2PAK |
| Gate Level | Standard |
| VDSS (Max) (V) | 60 |
| ID (A) | 100 |
| RDS (ON) (Max) @10V (mohm) | 4.2 |
| Pch (W) | 156 |
| Ciss (Typical) (pF) | 7730 |
| Qg typ (nC) | 133 |
| Series Name | N0 Series |
封装选项
| Pkg. Type | Lead Count (#) |
|---|---|
| MP-25ZK | 3 |
| Part Number | Status | Samples | Stock | Package | Budgetary Price (USD) | Lead Count (#) | Carrier Type | Moisture Sensitivity Level (MSL) | Pb (Lead) Free | Country of Assembly | Country of Wafer Fabrication |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| N0601N-ZK-E1-AY | Active | Available | In Stock | MP-25ZK | 1ku | $1.067 | 3# | Embossed Tape | 1 | Yes | CHINA, KOREA | JAPAN |
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- 应用说明英语AI 生成的摘要: Absolute maximum ratings define safe operational limits for MOSFETs, including voltage, current, and temperature thresholds to prevent device damage. Electrical characteristics specify parameters like breakdown voltage, threshold voltage, on-resistance, capacitances, and switching times. Allowable channel dissipation decreases as case temperature rises, calculated by a specific formula. The safe operating area (SOA) outlines five limiting conditions: current rating, on-resistance, channel dissipation, secondary breakdown, and voltage rating, ensuring reliable MOSFET operation under various conditions.
- 应用说明英语AI 生成的摘要: The document outlines derating standards for Power MOSFETs and IGBTs, emphasizing temperature, humidity, voltage, current, and power limits to ensure device reliability. It discusses package type selection between hermetic sealed and plastic molded types, highlighting the advantages of surface-mount packages for miniaturization. It also details precautions for physical handling, including proper lead forming, cutting, and mounting techniques to prevent stress and damage during installation.
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手册和指南 (1)
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- 应用说明英语AI 生成的摘要: The document outlines derating standards for Power MOSFETs and IGBTs, emphasizing temperature, humidity, voltage, current, and power limits to ensure device reliability. It discusses package type selection between hermetic sealed and plastic molded types, highlighting the advantages of surface-mount packages for miniaturization. It also details precautions for physical handling, including proper lead forming, cutting, and mounting techniques to prevent stress and damage during installation.
应用说明和白皮书 (4)
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