特性
- Super low on-state resistance RDS(on) = 4.8 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 38 A) RDS(on) = 8.3 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 38 A)
- Logic level drive type
- Gate to Source ESD protection diode built in
- Designed for automotive application and AEC-Q101 qualified
描述
The NP75N04YLG is N-channel MOS Field Effect Transistors designed for high current switching applications.
产品参数
| 属性 | 值 |
|---|---|
| Qualification Level | Automotive |
| Nch/Pch | Nch |
| Channels (#) | 1 |
| Standard Pkg. Type | SO8-FL 5x6 BSC |
| Gate Level | Logic |
| VDSS (Max) (V) | 40 |
| ID (A) | 75 |
| RDS (ON) (Max) @10V (mohm) | 4.8 |
| RDS (ON) (Max) @4.5V (mohm) | 8.3 |
| Pch (W) | 138 |
| Ciss (Typical) (pF) | 4300 |
| Qg typ (nC) | 77 |
| Series Name | NP Series |
封装选项
| Pkg. Type | Pkg. Dimensions (mm) | Lead Count (#) |
|---|---|---|
| HSON | 5 x 5 x 1.45 | 8 |
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| Part Number | Status | Samples | Stock | RoHS | Package | Budgetary Price (USD) | Lead Count (#) | Carrier Type | Moisture Sensitivity Level (MSL) | Pb (Lead) Free | Country of Assembly | Country of Wafer Fabrication |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NP75N04YLG-E1-AY | Active | Available | In Stock | Contact | HSON | 1ku | $0.784 | 8# | Embossed Tape | 1 | Yes | JAPAN, MALAYSIA | JAPAN |
| NP75N04YLG-E2-AY | Obsolete | N/A | Out of Stock | RoHS:EN RoHS:JA | HSON | 8# | Embossed Tape | 1 | Yes |
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