概览
简介
TP65H035G4YS 650V 35mΩ 氮化镓 (GaN) FET 是使用瑞萨电子第四代平台构建的常闭器件。 它结合了最先进的高压 GaN HEMT 和低压硅 MOSFET 技术,提供卓越的可靠性和性能。
瑞萨电子 GaN 通过更低的栅极电荷、更低的交越损耗和更小的反向恢复电荷,提供比硅更高的效率。
TP65H035G4YS 采用行业标准的 TO-247-4 封装,具有 Kelvin 源极和通用源极封装配置。
特性
- 第四代技术
- 符合 JEDEC 标准的 GaN 技术
- 动态 RDS(on)eff 生产测试
- 坚固的设计,定义
- 宽栅极安全裕度
- 瞬态过压能力
- 非常低的 QRR
- 减少分频损耗
- 符合 RoHS 标准和无卤素包装
- 在硬开关和软开关电路中实现更高的效率
- 提高功率密度
- 减小系统尺寸和重量
- 总体降低系统成本
- 使用常用的栅极驱动器轻松驱动
- 用于提高性能的 Kelvin 源
产品对比
应用
应用
- 数据通信
- 博大实业
- 光伏逆变器
- 伺服电机
设计和开发
模型
ECAD 模块
Schematic symbols, PCB footprints, and 3D CAD models from SamacSys can be found by clicking on products in the Product Options table. If a symbol or model isn't available, it can be requested directly from the website.