概览

简介

TP65H035G4YS 650V 35mΩ 氮化镓 (GaN) FET 是使用瑞萨电子第四代平台构建的常闭器件。 它结合了最先进的高压 GaN HEMT 和低压硅 MOSFET 技术,提供卓越的可靠性和性能。

瑞萨电子 GaN 通过更低的栅极电荷、更低的交越损耗和更小的反向恢复电荷,提供比硅更高的效率。

TP65H035G4YS 采用行业标准的 TO-247-4 封装,具有 Kelvin 源极和通用源极封装配置。

特性

  • 第四代技术
  • 符合 JEDEC 标准的 GaN 技术
  • 动态 RDS(on)eff 生产测试
  • 坚固的设计,定义
    • 宽栅极安全裕度
    • 瞬态过压能力
  • 非常低的 QRR
  • 减少分频损耗
  • 符合 RoHS 标准和无卤素包装
  • 在硬开关和软开关电路中实现更高的效率
    • 提高功率密度
    • 减小系统尺寸和重量
    • 总体降低系统成本
  • 使用常用的栅极驱动器轻松驱动
  • 用于提高性能的 Kelvin 源

产品对比

应用

应用

  • 数据通信
  • 博大实业
  • 光伏逆变器
  • 伺服电机

文档

类型 文档标题 日期
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设计和开发

模型