概览
描述
TP65H070G4LSG 650V 72mΩ 氮化镓 （GaN） FET 是使用我们的 Gen IV 平台构建的常闭器件。 它结合了最先进的高压 GaN HEMT 和低压硅 MOSFET 技术，提供卓越的可靠性和性能。
瑞萨电子的 GaN 功率产品通过更低的栅极电荷、更低的交越损耗和更小的反向恢复电荷，提供比硅更高的效率。
TP65H070G4LSG 采用性能 PQFN88 和通用源封装配置。
特性
- 第四代技术
- 符合 JEDEC 标准的 GaN 技术
- Dynamic RDS（on）eff 经过生产测试
- 坚固的设计，定义
- 宽栅极安全裕度
- 瞬态过压能力
- 非常低的 QRR
- 减少分频损耗
- 在硬开关和软开关电路中实现更高的效率
- 提高功率密度
- 减小系统尺寸和重量
- 总体降低系统成本
- 使用常用栅极驱动器易于驱动
- 符合 RoHS 标准和无卤素包装
产品对比
应用
设计和开发
软件与工具
开发板与套件
评估
1.2 kW Half-bridge Synchronous Buck or Boost Evaluation Platform
The TDHBG1200DC100 1.2 kW half-bridge evaluation board provides the elements of a simple buck or boost converter for basic study of switching characteristics and efficiency achievable with Renesas’ 650V GaN FETs. In either buck or boost mode the circuit can be configured for synchronous...
模型
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