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描述
TP65H70G4PS 650V 72mΩ 氮化镓 （GaN） FET 是使用我们的 Gen IV 平台构建的常闭器件。 它结合了最先进的高压 GaN HEMT 和低压硅 MOSFET 技术，提供卓越的可靠性和性能。
瑞萨电子的 GaN 功率产品通过更低的栅极电荷、更低的交越损耗和更小的反向恢复电荷，提供比硅更高的效率。
TP65H070G4PS 采用行业标准 TO-220 封装，具有通用源封装配置。
特性
- 符合 JEDEC 标准的 GaN 技术
- Dynamic RDS（on）eff 经过生产测试
- 坚固的设计，定义
- 固有寿命测试
- 宽栅极安全裕度
- 瞬态过压能力
- 非常低的 QRR
- 减少分频损耗
- 支持 AC-DC 和 DC-DC 设计
- 提高功率密度
- 减小系统尺寸和重量
- 总体降低系统成本
- 在硬开关和软开关电路中实现更高的效率
- 使用常用栅极驱动器易于驱动
- 符合 RoHS 标准和无卤素包装
产品对比
应用
- 数据通信
- 博大实业
- 光伏逆变器
- 伺服电机
- 计算
- 消费领域
文档
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| 类型 | 文档标题 | 日期 |
| 数据手册 | PDF 918 KB | |
| 应用说明 | PDF 372 KB | |
| 应用说明 | PDF 639 KB | |
| 报告 | PDF 159 KB | |
| 应用说明 | PDF 676 KB | |
| 其他 | ZIP 114 KB | |
| 指南 | PDF 225 KB | |
| 指南 | PDF 273 KB | |
| 指南 | PDF 391 KB | |
9 items
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