概览
描述
TP65H300G4JSGB 650V 240mΩ 氮化镓 （GaN） FET 是使用瑞萨电子第四代平台构建的常闭器件。 它结合了最先进的高压 GaN HEMT 和低压硅 MOSFET 技术，提供卓越的可靠性和性能。
瑞萨电子 GaN 通过更低的栅极电荷、更低的交越损耗和更小的反向恢复电荷，提供比硅更高的效率。
TP65H300G4JSGB采用行业标准的 PQFN56 封装，具有 Kelvin 源和通用源封装配置。
特性
- 第四代技术
- 符合 JEDEC 标准的 GaN 技术
- 动态 RDS（on）eff 生产测试
- 坚固的设计，定义
- 宽栅极安全裕度
- 瞬态过压能力
- 非常低的 QRR
- 减少分频损耗
- 符合 RoHS 标准和无卤素包装
- 在硬开关和软开关电路中实现更高的效率
- 提高功率密度
- 减小系统尺寸和重量
- 总体降低系统成本
- 使用常用栅极驱动器易于驱动
- 用于提高性能的 Kelvin 源
- 采用 e-mode GaN FET 的引脚对引脚插入式
产品对比
应用
设计和开发
软件与工具
模型
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