概览
描述
NP29N06QDK is a dual N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications.
特性
- Super low on-state resistance RDS(on)1 = 20 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 15 A) RDS(on)2 = 30 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 7.5 A)
- Low Ciss: Ciss = 1000 pF TYP. (VDS = 25 V)
- Designed for automotive application and AEC-Q101 qualified
- Small size package 8-pin HSON dual
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应用
文档
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| 类型 | 文档标题 | 日期 |
| 数据手册 | PDF 561 KB | |
| 指南 | PDF 796 KB | |
| 应用笔记 | PDF 3.23 MB 日本語 | |
| 产品可靠性报告 | PDF 222 KB | |
| 应用笔记 | PDF 648 KB 日本語 | |
| 宣传手册 | PDF 2.24 MB | |
6 items
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设计和开发
模型
ECAD 模块
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