特性
- Single 2.7V ~ 3.6V power supply
- Small stand-by current: 1µA (3.0V, typical)
- No clocks, No refresh
- All inputs and outputs are TTL compatible.
- Easy memory expansion by CS1# and CS2
- Common Data I/O
- Three-state outputs: OR-tie capability
- OE# prevents data contention on the I/O bus
R1LV0208BSA Block Diagram
描述
The R1LV0208BSA is a low-voltage, 2-Mbit static RAM organized as 262, 144-word by 8-bit, fabricated by Renesas' high-performance 0.15µm CMOS and TFT technologies. The R1LV0208BSA realizes higher density, higher performance, and low-power consumption. The device is suitable for memory applications where simple interfacing, battery operation, and battery backup are the important design objectives. The R1LV0208BSA is packaged in a 32-pin sTSOP.
产品参数
| 属性 | 值 |
|---|---|
| Memory Density | 2 |
| Organization | 256K x 8 |
| Access Time (ns) | 55 |
| Supply Voltage (V) | 2.7 - 3.6 |
| Temp. Range (°C) | -40 to +85 |
封装选项
| Pkg. Type | Pkg. Dimensions (mm) | Lead Count (#) | Pitch (mm) |
|---|---|---|---|
| sTSOP(32) | 12 x 8 x 1.2 | 32 | 0.5 |
| Part Number | Status | Samples | Stock | RoHS | Package | Budgetary Price (USD) | Carrier Type | Moisture Sensitivity Level (MSL) | Country of Assembly | Country of Wafer Fabrication |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| R1LV0208BSA-5SI#B1 | Active | Available | In Stock | Contact | TSOP(1) | 1ku | $4.2 | Tray | 3 | MALAYSIA, TAIWAN | JAPAN |
| R1LV0208BSA-5SI#S1 | Active | N/A | In Stock | Contact | TSOP(1) | 1ku | $4.2 | Embossed Tape | 3 | MALAYSIA, TAIWAN | JAPAN |
| R1LV0208BSA-5SI#B0 | Obsolete | N/A | In Stock | RoHS:EN RoHS:JA | TSOP(1) | Tray | 2 | |||
| R1LV0208BSA-5SI#BX | Obsolete | N/A | Out of Stock | RoHS:EN RoHS:JA | TSOP(1) | Tray | 3 | |||
| R1LV0208BSA-5SI#S0 | Obsolete | N/A | Out of Stock | RoHS:EN RoHS:JA | TSOP(1) | Embossed Tape | 2 | |||
| R1LV0208BSA-5SI#SX | Obsolete | N/A | Out of Stock | RoHS:EN RoHS:JA | TSOP(1) | Embossed Tape | 3 |
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