特性
- 能够测量一个全电阻电桥传感器的信号
- 差分电阻桥式传感器输入，带可选的片上或外部 PN 结温度传感器
- 使用模拟偏移补偿和高达 18 位分辨率的数字变焦进行大幅度传感器偏移校正
- 更高的数字分辨率，通过 ADC 实现了更快的输出更新率（OUR），通过数字低通滤波器（LPF）实现了快速衰减
- 能够覆盖较大的传感器跨度，并在整个温度范围（-40°C 至 150°C）内保持高精度（1.0%）。
- 符合 AEC-Q100 0 级要求
- 针对恶劣的汽车环境进行了优化
- 过电压和反极性保护高达 ±40V，稳定可靠的 EMC 性能以及多种诊断功能
- 能够在量产阶段最大程度地降低下线（EOL）生产成本
- 8-SOIC 封装选项
- 模拟输出
RAA2S4252B - Block Diagram
描述
RAA2S4252B 是瑞萨电子 CMOS 集成电路系列的其中一款产品，用于对差分桥传感器信号进行高精度放大和传感器特定校正。 RAA2S4252B 具有模拟传感器偏移校正功能，最大模拟预放大倍数高达 900，可以调节适应几乎所有电阻电桥。
调节计算通过 16 位 RISC 微控制器实现。 校准系数和配置数据存储在非易失性存储器（NVM）中，这在汽车应用中是一种可靠的存储方式。
测量值通过比率模拟输出信号提供。 该输出引脚还支持通过单线接口（OWI）进行末端线校准。 数字化校准有助于降低组装成本，因为无需通过外部设备或激光进行修整。 RAA2S4252B 配有过电压和反极性保护电路，具备优异的电磁兼容性和多种诊断功能，针对恶劣的汽车环境进行了优化。
产品参数
| 属性 | 值 |
|---|---|
| Function | Resistive SSC |
| Automotive Qual. | Yes |
| Supply Voltage (V) | 4.5 - 5.5 |
| Input Type | Single-bridge |
| Interface | I2C, Ratiometric Analog Voltage, ZACwire™ (OWI) |
| Adj. Analog Gain | 3 - 912 |
| Resolution (bits) | 18 |
| Sample Rate Max (KHz) | 10 |
| Temp. Range (°C) | -40 to 150°C |
封装选项
| Pkg. Type | Pkg. Dimensions (mm) | Lead Count (#) | Pitch (mm) |
|---|---|---|---|
| SOIC | 4.9 x 3.9 x 1.5 | 8 | 1.27 |
应用
- 制动、变速箱和 HVAC 应用中的压力传感
- xEV（电动汽车）
- 插电式混合动力电动汽车（PHEV）
- 电池电动汽车（BEV）
- 燃料电池电动汽车（FCEV）
Renesas Boards & Kits
RAA2S425XKIT
有效
RAA2S425XKIT Evaluation Kit
The evaluation kit provides an entry point to evaluate RAA2S425X product family.
