特性
- VDSS = 80V
- 标准栅极驱动电压: VGS（th） = 2.0V 至 4.0V
- 超低导通电阻：RDS(on) = 1.06mΩ (最大值)
- ID = 360A
- 低输入电容
- 低热阻
- 符合 AEC-Q101 标准
- 支持PPAP(生产件批准程序)
- 无铅电镀：符合 RoHS 标准
- MSL1（依据IPC/JEDEC J-STD-020）
描述
RBA011N08R1SBPW N 沟道功率 MOSFET 采用 REXFET-1 分离栅技术, 提供 TOLT 封装。 TOLT 封装采用顶部散热设计, 可增强热性能和可靠性并提高组装的便利性。
瑞萨电子的 REXFET-1 分离栅技术非常适合需要低 RDS(on) 和重视开关能力的场景，是大功率和高频应用的理想选择。
产品参数
| 属性 | 值 |
|---|---|
| Qualification Level | Automotive |
| Standard Pkg. Type | TOLT |
| ID (A) | 360 |
| RDS (ON) (Max) @10V or 8V (mohm) | 1.06 |
| Pch (W) | 535 |
| Series Name | REXFET-1 |
封装选项
| Pkg. Type | Pkg. Dimensions (mm) |
|---|---|
| TOLT | 9.90 x 15.00 x 2.30 |
应用
- 小型牵引逆变器（2 轮、3 轮车辆）
- 48V 电池系统和电机驱动
- 车载充电器
- 充电站
- 低压DC/DC