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封装信息
| CAD 模型: | View CAD Model |
| Pkg. Type: | TOLT |
| Pkg. Code: | |
| Lead Count (#): | |
| Pkg. Dimensions (mm): | 9.90 x 15.00 x 2.30 |
| Pitch (mm): |
环境和出口类别
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 |
| Pb (Lead) Free | Yes |
| ECCN (US) | |
| HTS (US) |
产品属性
| Pkg. Type | TOLT |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 |
| Pb (Lead) Free | Yes |
| Function | Power MOSFETs |
| Gate Level | Standard |
| ID (A) | 360 |
| Id max @ 25°C (A) | 360 |
| MOQ | 1300 |
| Pch (W) | 535 |
| Pkg. Dimensions (mm) | 9.90 x 15.00 x 2.30 |
| Qualification Level | Automotive |
| RDS (ON) (Max) @10V or 8V (mohm) | 1.06 |
| Series Name | REXFET-1 |
| Standard Pkg. Type | TOLT |
有关 RBA011N08R1SBPW 的资源
描述
RBA011N08R1SBPW N 沟道功率 MOSFET 采用 REXFET-1 分离栅技术, 提供 TOLT 封装。 TOLT 封装采用顶部散热设计, 可增强热性能和可靠性并提高组装的便利性。
瑞萨电子的 REXFET-1 分离栅技术非常适合需要低 RDS(on) 和重视开关能力的场景，是大功率和高频应用的理想选择。