特性
- VDSS = 80V
- 标准栅极驱动电压：VGS(th) = 2.0V 至 4.0V
- 超低导通电阻：RDS(on) = 1.3mΩ max.
- ID(DC) = 340A
- 低输入电容
- 低热阻
- 100% 通过雪崩测试
- 符合 AEC-Q101 标准
- 支持 PPAP（生产件批准程序）
- 无铅引脚电镀：符合 RoHS 标准
- MSL1（依据 IPC/JEDEC J-STD-020）
描述
RBA013N08R1SBPW N 沟道功率 MOSFET 采用 REXFET-1 分离栅技术，并提供 TOLT 封装。 TOLT 封装采用海鸥翼式引脚，可增强抗热应力能力，且顶部散热设计更有助于提高系统散热效率。
瑞萨的 REXFET-1 分离栅技术非常适合需要低 RDS(on) 和重视开关能力的场景，是大功率和高频应用的理想选择。
产品参数
| 属性 | 值 |
|---|---|
| Qualification Level | Automotive |
| Nch/Pch | Nch |
| Channels (#) | 1 |
| Standard Pkg. Type | TOLT |
| Gate Level | Standard |
| VDSS (Max) (V) | 80 |
| ID (A) | 340 |
| RDS (ON) (Max) @10V (mohm) | 1.3 |
| Pch (W) | 468 |
| Ciss (Typical) (pF) | 14000 |
| Qg typ (nC) | 185 |
| Series Name | REXFET-1 |
封装选项
| Pkg. Type | Pkg. Dimensions (mm) | Lead Count (#) |
|---|---|---|
| TOLT | 9.90 x 15.00 x 2.30 | 16 |
应用方框图
 | 6.6kW 单级车载充电器（OBC） 采用 DAB 拓扑结构的单级 GaN 双向车载充电器，效率高、尺寸紧凑、可靠性更高。 |
其他应用
- 48V 电池系统和电机驱动
- 小型牵引逆变器（二轮，三轮车辆）
- 车载充电器（OBC）
- 充电站
- 低电压 DC/DC