特性
- 标准电平栅极驱动电压：VGS（th） = 2.0V ~ 4.0V
- 超低导通电阻：RDS（on） = 0.65mΩ （最大值）
- 低输入电容
- 专为汽车应用而设计，符合 AEC-Q101（HTRB、HTGB）标准
RBA500N10EHWT-2UA01 Chip Dimensions & Circuit
描述
REXFET-1 100V 技术采用分离栅极结构，可提供低导通电阻。 它减少了电容和栅极电荷，以实现更高效的开关。 得益于该技术，MOSFET可实现高开关速度和低功耗，从而提高能源效率。 此外，它还增强了耐用性和可靠性，使其适用于汽车应用，如电源管理系统、电机控制和 DC-DC 转换器。
产品参数
| 属性 | 值 |
|---|---|
| Qualification Level | Automotive |
| Nch/Pch | Nch |
| Channels (#) | 1 |
| Standard Pkg. Type | Bare die |
| Gate Level | Standard |
| VDSS (Max) (V) | 100 |
| ID (A) | 500 |
| Ciss (Typical) (pF) | 34000 |
| Qg typ (nC) | 450 |
| Series Name | REXFET-1 |
封装选项
| Pkg. Type |
|---|
| Bare |
应用方框图
 | 三相 RISC-V 电机控制器 具有预编程 32 位 RISC-V ASSP 的三相电机控制器。 |
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| 器件号 | 状态 | 样品 | 库存 | RoHS | 封装 | Standard Pkg. Type | Carrier Type |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RBA500N10EHWT-2UA01#GFH | Active | Available | 缺货 | RoHS:EN RoHS:JA | Bare | Bare die | Embossed Tape |
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Jeff demonstrates how Renesas' REXFET MOSFETs, with low on-resistance and fast switching performance, enable more efficient BLDC motor operation in industrial and automotive applications.
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2025年10月29日
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