特性
- 标准电平栅极驱动电压：VGS（th） = 2.0V ~ 4.0V
- 超低导通电阻：RDS（on） = 0.65mΩ （最大值）
- 低输入电容
- 专为汽车应用而设计，符合 AEC-Q101（HTRB、HTGB）标准
描述
REXFET-1 100V 技术采用分离栅极结构，可提供低导通电阻。 它减少了电容和栅极电荷，以实现更高效的开关。 得益于该技术，MOSFET可实现高开关速度和低功耗，从而提高能源效率。 此外，它还增强了耐用性和可靠性，使其适用于汽车应用，如电源管理系统、电机控制和 DC-DC 转换器。
产品参数
| 属性 | 值 |
|---|---|
| Qualification Level | Automotive |
| Nch/Pch | Nch |
| Channels (#) | 1 |
| Standard Pkg. Type | Bare die |
| VDSS (Max) (V) | 100 |
| ID (A) | 500 |
| Ciss (Typical) (pF) | 34000 |
| Qg typ (nC) | 450 |
| Series Name | REXFET-1 |
封装选项
| Pkg. Type |
|---|
| Bare |
应用方框图
|
三相 RISC-V 电机控制器
具有预编程 32 位 RISC-V ASSP 的三相电机控制器。
|