特性
- VDSS = 80V
- 标准栅极驱动电压: VGS（th） = 2.0V 至 4.0V
- 超低导通电阻：RDS（on） = 9.3mΩ (最大值)
- ID = 50A
- 低输入电容
- 低热阻
- 符合 AEC-Q101 标准
- 支持PPAP(生产件批准程序)
- 无铅电镀：符合 RoHS 标准
- MSL1（依据IPC/JEDEC J-STD-020）
描述
RBA50N08EANS-5UA09 N 沟道功率 MOSFET 采用 REXFET-1 分离栅技术, 提供 µSO8-FL (3x3) 封装。 µSO8-FL (3x3)封装采用超紧凑无引脚设计和可润湿侧翼结构, 可增强热性能和可靠性并提高组装的便利性。
瑞萨电子的 REXFET-1 分离栅技术非常适合需要低 RDS(on) 和重视开关能力的场景，是大功率和高频应用的理想选择。
产品参数
| 属性 | 值 |
|---|---|
| Qualification Level | Automotive |
| Nch/Pch | Nch |
| Channels (#) | 1 |
| Standard Pkg. Type | μSO8-FL 3x3 BSC |
| VDSS (Max) (V) | 80 |
| ID (A) | 50 |
| RDS (ON) (Max) @10V or 8V (mohm) | 9.3 |
| Pch (W) | 57 |
| Ciss (Typical) (pF) | 1800 |
| Qg typ (nC) | 31 |
| Series Name | REXFET-1 |
封装选项
| Pkg. Type | Pkg. Dimensions (mm) | Lead Count (#) |
|---|---|---|
| μSO8-FL | 3.30 x 3.50 x 0.85 | 8 |
应用
- DC/DC 车载充电
- Zone ECUs
- 电机控制
- 电池管理系统 (BMS)
- 风扇
- 泵
- 摄像头/传感器电源
- 无线充电模块
- 散热模块驱动器
- 开关
- LED照明