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RBA80N04DANS-4UA04

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ANL4 N 沟道功率 MOSFET 40V–80A–3.5mΩ–SO8-FL 车用

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概览

该40V系列产品采用ANL4技术，以实现低导通电阻。 同时，降低了电容和栅极电荷，可实现更高效的开关。 得益于该技术，可实现高开关速度和低功率损耗，从而提高能源效率。 此外，耐用性和可靠性的提升，使其广泛适用于汽车应用，如电源管理系统、电机控制和 DC/DC 转换器。

RBA80N04DANS-4UA04 Outline
RBA80N04DANS-4UA04 Outline
  • 标准级栅极驱动电压：VGS（th） = 2.0V 至 4.0V
  • 超低导通电阻：RDS（on） = 3.5mΩ max.
  • 低输入电容
  • 专为汽车应用而设计，符合 AEC-Q101 标准

文档

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类型 文档标题 日期
数据手册
RBA80N04DANS-4UA04 Datasheet
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产品可靠性报告
REXFET-1 ANL4-Series SO8FL Reliability Report for AEC-Q101
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应用说明
Renesas Power MOS SPICE Model
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指南
Power Discrete Mount Pad
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应用说明
Power MOSFET Application Note
PDF 3.23 MB 日本語
应用说明
Attention of Handling Semiconductor Devices
PDF 648 KB 日本語
6 项目

设计和开发

ECAD 模块

点击产品选项表中的 CAD 模型链接，查找 SamacSys 中的原理图符号、PCB 焊盘布局和 3D CAD 模型。如果符号和模型不可用，可直接在 SamacSys 请求该符号或模型。

扩展 ECAD 模块
Diagram of ECAD Models

模型
类型 文档标题 日期
模型 - SPICE
RBA80N04DANS-4UA04 Ltspice Data
ZIP 63 KB
模型 - SPICE
RBA80N04DANS-4UA04 Pspice Data
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