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RBE015N10R1SZPV Package Circuit
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RBE015N10R1SZPV#GB0

有效
100V, 340A, 1.5mΩ, REXFET-1 N沟道, 功率 MOSFET, TOLG 封装
RBE015N10R1SZPV DatasheetLeveraging Split-Gate Trench Process to Advance MOSFET Performance有关 RBE015N10R1SZPV 的所有信息

封装信息

CAD 模型:View CAD Model
Pkg. Type:TOLG
Pkg. Code:
Lead Count (#):8
Pkg. Dimensions (mm):9.90 x 11.70 x 2.50
Pitch (mm):

环境和出口类别

Moisture Sensitivity Level (MSL)1
ECCN (US)
HTS (US)8541.29.0095
RoHS (RBE015N10R1SZPV#GB0)英语日文
Pb (Lead) FreeYes

产品属性

Pkg. TypeTOLG
Standard Pkg. TypeTOLG
Lead Count (#)8
Carrier TypeEmbossed Tape
Moisture Sensitivity Level (MSL)1
Channels (#)1
Ciss (Typical) (pF)13000
Country of AssemblyMALAYSIA
Country of Wafer FabricationJAPAN
FunctionPower MOSFETs
Gate LevelStandard
ID (A)340
Id max @ 25°C (A)340
Lead CompliantNo
Length (mm)11.7
MOQ1500
Mounting TypeSurface Mount
Nch/PchNch
Pb (Lead) FreeYes
Pch (W)468
Pkg. Dimensions (mm)9.90 x 11.70 x 2.50
Price (USD)$2.27204
Qg typ (nC)170
Qualification LevelIndustrial
RDS (ON) (Max) @10V (mohm)1.5
RDS (ON) (Typical) @ 10V / 8V (mohm)1.3
Series NameREXFET-1
Simulation Model AvailableYes
Tape & ReelYes
Thickness (mm)2.5
VDSS (Max) (V)100
VGSS (V)20
Vgs (off) (Max) (V)4
Width (mm)9.9

描述

RBE015N10R1SZPV N 沟道功率 MOSFET 采用 REXFET-1 分离栅技术，提供 TOLG 封装。 TOLG 封装具有与 TOLL 封装同样的外形和尺寸。但其采用海鸥翼式引脚设计，具备卓越的热循环能力。

瑞萨电子的 REXFET-1 分离栅技术非常适合需要低 RDS(on) 和重视开关能力的场景，是大功率和高频应用的理想选择。

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