瑞萨电子 (Renesas Electronics Corporation)
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RJK0328DPB-01

不推荐用于新设计

硅 N 沟道功率 MOSFET 功率开关

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特性

  • 高速开关
  • 能够进行 4.5V 栅极驱动
  • 低驱动电流
  • 高密度安装
  • 低导通电阻
    RDS（on） = 1.6 mΩ（典型值） （VGS = 10 V 时）
  • 无铅
  • 无卤素
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描述

MOSFET 适用于开关（电机驱动等）和负载开关应用。 低导通电阻、高速开关和高稳健性。

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