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瑞萨电子 (Renesas Electronics Corporation)

特性

  • 极低的导通电阻
    RDS(on) = 0.038Ω 典型值 (ID = 12.5A,VGS = 10V,Ta = 25°C 时)
  • 低栅极电荷
    Qg = 37nC(典型值) (当 VDD = 120V,VGS = 10V,ID = 25 A,Ta = 25°C 时)
  • 低漏电流
  • 高速开关

描述

MOSFET 适用于开关(电机驱动等)和负载开关应用。 低导通电阻、高速开关和高稳健性。

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