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RMLV0416E

有效

4Mb Advanced LPSRAM (256-kword × 16-bit)

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特性

  • Single 3V supply: 2.7V to 3.6V
  • Access time: 45ns (max.)
  • Current consumption: Standby: 0.3µA (typ.)
  • Equal access and cycle times
  • Common data input and output: Three-state output
  • Directly TTL compatible: All inputs and outputs
  • Battery backup operation
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RMLV0416E Block Diagram
RMLV0416E Block Diagram

描述

The RMLV0416E is a 4-Mbit static RAM organized as 262, 144-word × 16-bit, fabricated by Renesas' high-performance Advanced LPSRAM technologies. The RMLV0416E realizes higher density, higher performance, and low-power consumption. The RMLV0416E device offers low-power standby power dissipation. Therefore, it is suitable for battery backup systems. It is offered in a 44-pin TSOP (II) or 48-ball fine-pitch ball grid array.

产品参数

属性值
Memory Density4
Organization256K x 16
Access Time (ns)45
Supply Voltage (V)2.7 - 3.6
Temp. Range (°C)-40 to +85

封装选项

Pkg. TypePkg. Dimensions (mm)Lead Count (#)Pitch (mm)
FBGA(48)8 x 8 x 1.248—
TSOP(44)18 x 10 x 1.2440.8
Part NumberStatusSamplesStockRoHSPackageBudgetary Price (USD)Carrier TypeMoisture Sensitivity Level (MSL)Country of AssemblyCountry of Wafer Fabrication
RMLV0416EGBG-4S2#AC0ActiveAvailableOut of StockContactTFBGA1ku | $6.32Tray3CHINA, JAPAN, TAIWANJAPAN
RMLV0416EGBG-4S2#KC0ActiveN/AOut of StockContactTFBGA1ku | $6.32Embossed Tape3CHINA, JAPAN, TAIWANJAPAN
RMLV0416EGSB-4S2#AA1ActiveAvailableIn StockContactTSOP(2)1ku | $6.32Tray3MALAYSIA, TAIWANJAPAN
RMLV0416EGSB-4S2#HA1ActiveN/AIn StockContactTSOP(2)1ku | $6.32Embossed Tape3MALAYSIA, TAIWANJAPAN
RMLV0416EGSB-4S2#AA0ObsoleteN/AOut of StockRoHS:EN
RoHS:JA
TSOP(2)Tray3
RMLV0416EGSB-4S2#HA0ObsoleteN/AIn StockRoHS:EN
RoHS:JA
TSOP(2)Embossed Tape3
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    推荐文档 (1)

  1. 数据手册
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    RMLV0416E Series Datasheet Rev.3.00
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    手册和指南 (2)

  1. 指南
    英语
    SRAM Shipping Label and Package Marking
    PDF 207 KB memory-sram-label-marking-guide-eng-20250620 日本語 2025年6月20日
  2. 指南
    英语
    SRAM Soldering and Mounting Conditions
    PDF 1.27 MB 20230323-sram-soldering-mounting-guide-eng 日本語 2023年3月23日

    产品通告（产品变更、EOL 等） (7)

  1. EOL 通告
    英语
    End Of Life Notice [EOL260016]
    PDF 168 KB EOL260016 2026年6月01日
  2. 产品变更通告
    英语
    Assembly site transfer for Low Power SRAM 48-ball FBGA products (CST-R2-AD214 Rev.1.0)
    PDF 736 KB CST-R2-AD214 REV.1.0 日本語 2025年2月06日
  3. 产品变更通告
    英语
    Addition of assembly site for Renesas SRAM TSOP products (CST-R2-AJ153 Rev.1.0)
    PDF 1.22 MB CST-R2-AJ153 Rev.1.0 日本語 2022年7月27日
  4. 产品变更通告
    英语
    Addition of outer lead plating fab for SRAM TSOP products
    PDF 818 KB 日本語 2018年7月31日
  5. 产品变更通告
    英语
    SRAM TSOP(44) products: Change of lead frame type from etched to stamped
    PDF 482 KB 日本語 2018年7月24日
    6. 查看更多 (7)

    封装图和引脚图 (2)

  1. 封装外形图
    英语
    Package Drawing TSOP(2) 44pin PTSB0044GG-A
    PDF 79 KB ptsb0044gg_a 2018年8月20日
  2. 封装外形图
    英语
    Package Drawing TFBGA 48pin PTBG0048HJ-A
    PDF 60 KB ptbg0048hj_a 2018年8月20日

    质量和可靠性 (2)

  1. 产品可靠性报告
    英语
    RMLV0416EGBG-4S2 Reliability Report
    PDF 197 KB APR-22-H0431-B 2025年2月06日
  2. 产品可靠性报告
    英语
    RMLV0416EGSB-4S2 Reliability Report
    PDF 202 KB APR-21-H0591-B 2023年3月15日

    营销资料 (1)

  1. 宣传手册
    中文
    模拟&功率器件型号速查手册
    PDF 3.28 MB R07CP0002CC0100 Rev.1.00 2013年1月01日
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模拟模型

    软件与工具 (3)

  1. 封装外形图
    英语
    Package Drawing TFBGA 48pin PTBG0048HJ-A
    PDF 60 KB ptbg0048hj_a 2018年8月20日
  2. 封装外形图
    英语
    Package Drawing TSOP(2) 44pin PTSB0044GG-A
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  3. 软件和工具 - 其他
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    瑞萨电子存储器产品介绍
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    模拟模型 (3)

  1. 模型 - IBIS
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    IBIS models (Low Power SRAM) RMLV0416EGBG
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    IBIS models (Low Power SRAM) RMLV0416EGSB-4S2#AA0/#HA0
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    英语
    IBIS models (Low Power SRAM) RMLV0416EGSB-4S2#AA1/#HA1
    IBS 55 KB D6002076 2016年4月08日
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