概览
描述
RRP63175 是一款用于 E 模式 GaN 和逻辑电平 MOSFET 的高频单通道低侧栅极驱动器。 5V供电、7.2A 拉电流和 5.3A灌电流，同时支持 3.3V 和 5V 逻辑电平 PWM 输入信号。
该 RRP63175 的典型传播延迟仅为 5ns，非常适合高频开关应用。 它能够在高达 30MHz 的频率下工作。
特性
- 接受 3.3V/5V 逻辑电平 PWM 输入
- 用于 GaN/MOSFET 的 7.2A 拉电流和 5.3A 灌电流栅极驱动器
- 可单独调节开启和关闭速度
- 支持正负 PWM 或 EN 输入逻辑
- 极快的传播延迟：5ns 典型延迟
- 7ns 最小输入脉冲宽度
- 4ns 典型上升和下降时间
- 5V 电源
- VDD 欠压锁定 （UVLO） 和过温保护 （OTP）
- 小型封装，低寄生电感，支持高达 30MHz 的开关频率应用
- 低功耗
- 2mm × 2mm SCTDFN 封装
产品对比
应用
设计和开发
软件与工具
软件与工具
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Software type
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公司
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| iSim:PE 离线模拟工具 iSim Personal Edition（iSim:PE ）可加快设计周期并降低项目早期风险，确定可用于当前和下一代设计的部件。
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Simulator | 瑞萨电子 |
1 项目
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开发板与套件
评估
RTKP63175
有效
RPP63175 Low-Side Driver Evaluation Board with GaN/MOSFET in Boost System
The RRP63175 evaluation boards (RTKP63175DE00000BC and RTKP63175DE00010BC) enable a rapid and thorough evaluation of the RRP63175, a single low-side driver capable of driving 7.2A source and 5.3A sink currents. These boards are designed to efficiently drive the gates of either GaN FETs...
模型
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