特性
- 独立的高侧和低侧 TTL 逻辑输入，最高耐受 14V 电压，与 VDD 电压无关
- 兼容 3.3/5V CMOS 逻辑电平的输入级
- 100V PH 额定电压，适用于高压场景
- 专为 GaN/MOSFET 设计的 峰值2A 灌电流和 5.3A 拉电流驱动能力
- 可单独调节开启和关闭速度
- 短的传播延迟（19ns/17ns 典型值）
- 出色的传播延迟匹配（1.5ns 典型值）
- 4.5V 至 5.5V 偏置电源，带 UVLO 机制
- 集成输入和输出下拉电阻器
- 典型上升时间为 4.5ns，典型下降时间为 2.7ns（带 1nF 负载
- 小型封装：WLCSP12-2×2、FCQFN14-3×3
RRP6815X Typical Application Diagram
描述
该RRP68151为5V供电的高频半桥驱动，针对增强模式氮化镓场效应管和低阈度N通道MOSFET进行了优化。 它提供2A的灌电流和5.3A的拉电流能力，支持最高直流100V的切换节点。 驱动器的PWM输入兼容3.3V/5V CMOS逻辑，最高可耐受14V电压，且该特性与 VDD 供电电压相互独立。 高侧偏置电压采用自举升压技术，内部钳位为5.4V，以防止超过GaN FET的最大栅极源极耐受值。 5V 工作电源设计便于与控制器实现共电方案。
作为RRP6815x驱动系列的成员，该RRP68151在相关产品间保持设计和性能的一致性。 与 RRP68150 不同，它不集成防直通保护功能，允许设计者根据需要实现自己的外部时序或保护方案。
产品参数
| 属性 | 值 |
|---|---|
| Bootstrap Supply Voltage (Max) (V) | 104 |
| VBIAS (Max) (V) | 5.5 |
| Peak Pull-up Current (A) | 2 |
| Peak Pull-down Current (A) | 5.3 |
| Fall Time | 2.7ns |
| Temp. Range (°C) | -40 to +125°C |
| Input Logic Level | 3.3/5V CMOS |
| Qualification Level | standard |
| Simulation Model Available | iSim |
封装选项
| Pkg. Type | Pkg. Dimensions (mm) | Lead Count (#) | Pitch (mm) |
|---|---|---|---|
| QFN | 3.0 x 3.0 x 0.75 | 14 | 0.5 |
| WLCSP-TKCURDL | 1.9 x 1.9 x 0.50 | 6 | 0.4 |
应用
- 电信/服务器市场的半桥和全桥 DC/DC转换器
- 半桥和全桥转换器
- 同步降压转换器
- 电源模块
Renesas Boards & Kits
RRP6815x 半桥驱动器评估板，集成 GaN FET 或 MOSFET，适用于降压系统
RTKP6815xDE000x0BC 评估板有助于快速、全面地评估 RRP68150 和 RRP68151 半桥驱动器，这两款器件提供 2A 源极和 5.3A 漏极栅极驱动能力。 RTKP6815xDE00000BC 板可有效驱动 GaN FET，而 RTKP6815xDE00010BC 板则在降压系统配置中驱动硅 FET。 每个评估板都集成了两个 GaN FET 或两个逻辑电平 N 通道 MOSFET 以及一个电感电容（LC）滤波器，从而能够在实际工作条件下进行全面的系统级评估。
