特性
- 集成 700V、480mΩ GaN FET
- 支持外部辅助输出过压保护
- 自适应软启动功能：在 9V 及以上输出电压下，可针对 330µF 至 6,000µF 的负载实现平稳启动
- 集成保护功能：输出短路保护、输出过压保护、输出过流保护
- 用户可配置轻载模式，用于优化动态响应与空载功耗
- 在典型的 24W 设计中，230VAC 输入下的空载功耗低于 75mW
- 采用 PrimAccurate™ 初级侧调节技术，无需使用光耦器件
- 优化至最高 79kHz PWM 频率，配合准谐振工作模式，有效改善器件体积、能效及噪声特性
- 采用 EZ‑EMI™ 设计，显著提升产品可制造性及 EMI 裕量
- 支持自适应 PWM/PFM 多模式控制，实现更高效率
- 具备五级线缆压降补偿功能
- 提供高精度恒压调节，并可选配恒流输出支持
- 集成 SmartDefender™ 智能打嗝保护功能，专用于应对软短路故障状况
- 可选配内置过温保护功能
- 全工作范围内无音频噪声
- 采用 QFN 8×8 封装形式
描述
RRW21115 是一款系统级封装（SiP）产品，集成了 700V SuperGaN® FET 与高性能数字式 AC/DC 初级侧调节（PSR）反激式控制器。 可配置的轻载模式允许设计人员仅通过一个外部电阻，即可针对超低空载功耗或快速瞬态响应进行参数调优。 该器件工作于准谐振模式，可在重载条件下实现高效率，同时最大限度地减少外部元件数量，简化 EMI 设计，并降低整体物料清单成本。
PrimAccurate™ 初级侧调节技术消除了对次级侧反馈元件的需求，并保持了出色的线性调整率与负载调整率。 该数字控制架构消除了外部环路补偿元件，并采用逐脉冲波形分析技术，从而实现了比传统方法更快的动态响应。 内置功率限制功能支持在宽范围离线输入电压下对变压器进行优化设计；RRW21115 通常适用于功率约为 25W 的应用场景。
该器件实现了较高的平均有源效率，且空载功耗低于 75mW。 软启动功能确保了在任意输出电压下对大容量容性负载实现平滑启动，使其非常适用于网络设备及显示器适配器的设计。
RRW21115 集成了内部和外部过压保护功能，其中外部通路提供辅助输出过压保护，从而为系统提供了额外保护。
产品参数
| 属性 | 值 |
|---|---|
| Topology Characteristic | PWM/PFM Flyback |
| Control Mode | Primary-Side Regulation with Adaptive MMC |
| UVLO Rising (V) | 13.7 |
| UVLO Falling (V) | 6.4 |
| VBIAS (Max) (V) | 18 |
| PWMs (#) | 1 |
| Output Power Max (W) | 25 |
| Switching Frequency (KHz) | 79 - 79 |
| Cable Drop Comp (mV) | 0 |
| Controller / Integrated | Integrated |
| Advanced Features | SuperGaN Integrated |
| Simulation Model Available | No |
| Temp. Range (°C) | -40 to +150°C |
| Qualification Level | Standard |
封装选项
| Pkg. Type | Pkg. Dimensions (mm) | Lead Count (#) |
|---|---|---|
| QFN8x8 | 8 x 8 x 0.85 | 22 |
产品对比
应用
- 网络设备及显示器电源适配器
- 通用 AC/DC 适配器（最高 25W）
- 辅助电源