特性
- 集成 700V、240mΩ GaN FET
- 通过 JEDEC 认证的 GaN 技术
- 零待机功耗
- 支持单层 PCB 设计，可降低系统成本
- 支持快充适配器及其他功率配置模式
- 工作于自适应 MMC 模式，以及随输入电压/负载变化的自适应 CCM 或 QR 模式
- 提升效率并消除音频噪声
- 可在体积、效率、EMI 性能之间实现最优平衡
- 采用双极性辅助绕组电压检测技术，可改善 EMI 特性并简化变压器设计
- 针对 GaN 功率器件进行了优化栅极驱动设计
- 采用 SSR 控制技术，支持精细步进式 CV 与 CC 调节
- 支持最高 270kHz 开关频率
- 内置保护功能：上电缓启、掉电保护、输出短路保护、输出过压保护、光耦失效保护
- 用户可调节内部 OTP 阈值
描述
RRW22112 是一款系统级封装（SiP）产品，集成了 700V SuperGaN® FET 与高性能 AC/DC 初级侧数字反激式控制器，适配次级侧调节（SSR）架构，可实现零待机功耗快充应用。 该器件采用瑞萨专利的恒频准谐振（QR）开关模式，并搭载自适应多模式控制（MMC）。 RRW2211x 系列专为与瑞萨次级侧控制器 iW780/iW610 或 RRW30110/RRW43010 芯片组配套使用而优化；此类芯片组集成次级侧调节（SSR）、同步整流（SR）控制，并支持 USB PD 3.2 可编程电源（PPS）。 典型设计中，RRW22112 常用于 45W 至 65W 功率等级的应用场景；若采用 RRW2211x 与 iW780 芯片组构建 PD 旅行适配器，在拔除 USB 线缆后，空载功耗可低至 5mW 以下。
MMC 功能涵盖了 PWM、PFM 和突发模式（Burst Mode）等多种工作模式，可实现效率与 EMI 性能的最佳平衡。 RRW22112 与 iW780 芯片组支持高精度多级恒压（CV）与恒流（CC）调节，且模式切换过程快速平滑。 SSR 数字补偿技术省去了外部环路补偿元件，同时确保了在所有工作条件下系统均能保持稳定运行。
瑞萨电子专有的数字控制技术可实现高效率、高精度电压与电流控制以及快速动态负载响应，同时有效降低系统成本。 QR 开关模式、MMC 工作模式以及基于 SSR 的调节机制三者的结合，能够充分满足现代快速充电应用对性能的各项需求。
产品参数
| 属性 | 值 |
|---|---|
| Topology Characteristic | PWM/PFM Flyback |
| Control Mode | Peak Current Mode DCM/CCM |
| UVLO Rising (V) | 15.3 |
| UVLO Falling (V) | 7.5 |
| VBIAS (Max) (V) | 42 |
| PWMs (#) | 1 |
| Output Power Max (W) | 65 |
| Switching Frequency (KHz) | 70 - 270 |
| Controller / Integrated | Integrated |
| Advanced Features | SuperGaN Integrated |
| Simulation Model Available | No |
| Temp. Range (°C) | -40 to +150°C |
| Qualification Level | Standard |
封装选项
| Pkg. Type | Pkg. Dimensions (mm) | Lead Count (#) |
|---|---|---|
| QFN8x8 | 8 x 8 x 0.85 | 22 |
产品对比
应用
- 适用于智能手机、平板电脑及笔记本电脑的 USB PD 适配器
- 适用于电视、网络设备、家用电器及辅助电源的供电单元