概览
描述
SLG59H1132V 是一款高性能、自供电 13mΩ NMOS 负载开关，设计用于所有 4.5V 至 22V 电源轨，最高可达 6A。 该SLG59H1132V采用专有的 MOSFET 设计，可在宽输入电压范围内实现稳定的 13mΩ RDSON 。 通过将新颖的 FET 设计和铜柱互连相结合，SLG59H1132V 的封装可以在大电流运行中表现出低热阻。 SLG59H1132V 设计工作温度范围为 -40 °C 至 +85 °C，采用低热阻、符合 RoHS 标准的 1.6mm x 3.0mm STQFN 封装。
特性
- 宽工作输入电压范围：4.5V 至 22V
- 最大持续电流：6A
- 集成低 RDSON nFET 开关：13mΩ
- 引脚可选的 VIN 过压锁定
- 两级自动 nFET SOA 保护：
- 25W SOA 阈值，无消隐时间
- 12.5W SOA 阈值，消隐时间为 18ms
- 电容可调浪涌电流控制
- 两级限流保护：
- 电阻可调活动电流限值
- 内部短路电流限制
- 开漏 FAULT 信号
- 漏极开路电源良好信号
- MOSFET 模拟电流监控器输出：10μA/A
- ON-OFF 控制：高电平有效
- 工作温度范围：-40 °C 至 85 °C
- 快速 4kΩ 输出放电
- 无铅 / 无卤素 / 符合 RoHS 标准的封装
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应用
文档
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| 类型 | 文档标题 | 日期 |
| 数据手册 | PDF 2.17 MB | |
| 宣传手册 | PDF 5.05 MB 日本語 | |
| 指南 | PDF 2.78 MB 日本語 | |
| 应用说明 | PDF 2.99 MB | |
4 项目
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