特性
- 宽工作输入电压范围：4.5V 至 22V
- 最大持续电流：6A
- 集成低 RDSON nFET 开关：13mΩ
- 引脚可选的 VIN 过压锁定
- 两级自动 nFET SOA 保护：
- 25W SOA 阈值，无消隐时间
- 12.5W SOA 阈值，消隐时间为 18ms
- 电容可调浪涌电流控制
- 两级限流保护：
- 电阻可调活动电流限值
- 内部短路电流限制
- 开漏 FAULT 信号
- 漏极开路电源良好信号
- MOSFET 模拟电流监控器输出：10μA/A
- ON-OFF 控制：高电平有效
- 工作温度范围：-40 °C 至 85 °C
- 快速 4kΩ 输出放电
- 无铅 / 无卤素 / 符合 RoHS 标准的封装
描述
SLG59H1132V 是一款高性能、自供电 13mΩ NMOS 负载开关，设计用于所有 4.5V 至 22V 电源轨，最高可达 6A。 该SLG59H1132V采用专有的 MOSFET 设计，可在宽输入电压范围内实现稳定的 13mΩ RDSON 。 通过将新颖的 FET 设计和铜柱互连相结合，SLG59H1132V 的封装可以在大电流运行中表现出低热阻。 SLG59H1132V 设计工作温度范围为 -40 °C 至 +85 °C，采用低热阻、符合 RoHS 标准的 1.6mm x 3.0mm STQFN 封装。
产品参数
| 属性 | 值 |
|---|---|
| FET Pass Device Type | Single N-Channel |
| VIN Channel 1 min. (V) | 4.5 |
| VIN Channel 1 max. (V) | 22 |
| Input Quiescent Current Channel 1, typ (µA) | 500 |
| Input Quiescent Current Channel 1, max (µA) | 610 |
| Input Quiescent Current when OFF Channel 1, typ (µA) | 0.5 |
| Input Quiescent Current when OFF Channel 1, max (µA) | 3 |
| RDSON (Typ) Channel 1 (mΩ) | 13 |
| IDS Channel 1 (A) | 6 |
| Enable | Active High |
| Output Voltage Slew Rate set by | Capacitor |
| Discharge Circuit | Yes |
| Undervoltage Protection | Yes |
| Over Voltage Protection | Yes |
| Power Good (PG), FAULT indicator | PG & FAULT |
| Reverse current blocking | No |
| Reverse voltage detection | No |
| Over Current Protection (OCP) | Adjustable |
| Over Current Protection Setting Range Channel 1 | 1 - 7 |
| Short Circuit Protection | Yes |
| Over Temperature Protection (OTP) | Yes |
| Current Monitor Output | Yes |
| Internal TVS Surge Protection | No |
| Temp. Range (°C) | -40 to +85°C |
封装选项
| Pkg. Type | Pkg. Dimensions (mm) | Lead Count (#) | Pitch (mm) |
|---|---|---|---|
| STQFN-18 | 1.6 x 3.0 mm | 18 | 0.4 |
应用
- 电源轨切换
- 多功能打印机
- 电信设备
- 高性能计算：5V、9V、12V 和 20V 负载点配电