特性
- Optimized for smartphone, notebook/tablet PC applications
- 40 mΩ RDSON while supporting 1.0 A
- Power supply/input voltage range: 2.5 V ≤ VD ≤ 5.5 V
- Output voltage slew-rate control internally fixed
- Output discharge circuitry
- Sleep mode current (IDDOFF) in low µA range
SLG59M1466V
描述
The SLG59M1466V is designed for load switching applications. The part comes with one 40 mΩ 1.0 A‑rated MOSFET controlled by a single ON control pin. The MOSFET’s ramp rate is fixed at 3 V/ms. The product is packaged in an ultra‑small 1.0 mm x 1.0 mm package.
| Part Number | Status | Samples | Stock | Package | Lead Count (#) | Carrier Type | Moisture Sensitivity Level (MSL) | Pb (Lead) Free |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SLG59M1466V | Obsolete | N/A | In Stock | Package | Tape & Reel | 1 | Yes | |
| SLG59M1466VTR | Obsolete | N/A | Out of Stock | Package | 4# |
加载中
- 指南英语GreenFET load switches are designed for efficient high‑side power control in low‑voltage applications. These devices combine low RDS(on), compact packaging, and integrated protection features to replace discrete designs, reducing PCB space and improving system reliability. This guide enables engineers to quickly compare key parameters and select the optimal device for their application.
- 应用说明英语PDF 911 KB 2019年2月22日AI 生成的摘要: Extending the maximum operating current of GreenFET load switches can be achieved by using two lower-current devices in parallel, maintaining protection features and reducing overall RDSON. Parallel operation balances current sharing due to low RDSON variation in Renesas's MOSFET design. Examples include using pairs of SLG59H1006V and SLG59M1714V devices, with detailed operational waveforms and recommended PCB layouts provided. High-current single devices like SLG59M1568V are also covered. The document includes application diagrams, oscilloscope captures, and design guidelines for high-current load switch applications.
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- 指南英语GreenFET load switches are designed for efficient high‑side power control in low‑voltage applications. These devices combine low RDS(on), compact packaging, and integrated protection features to replace discrete designs, reducing PCB space and improving system reliability. This guide enables engineers to quickly compare key parameters and select the optimal device for their application.
手册和指南 (1)
- 应用说明英语PDF 911 KB 2019年2月22日AI 生成的摘要: Extending the maximum operating current of GreenFET load switches can be achieved by using two lower-current devices in parallel, maintaining protection features and reducing overall RDSON. Parallel operation balances current sharing due to low RDSON variation in Renesas's MOSFET design. Examples include using pairs of SLG59H1006V and SLG59M1714V devices, with detailed operational waveforms and recommended PCB layouts provided. High-current single devices like SLG59M1568V are also covered. The document includes application diagrams, oscilloscope captures, and design guidelines for high-current load switch applications.
应用说明和白皮书 (1)
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原理图和设计文件 (6)
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A detailed overview of the GreenFET product line, focusing on the advantages of Renesas’ proprietary CuFET™ architecture and its impact on performance, size, and reliability. The presentation covers key specifications such as low RDS(on), high continuous current capability, and integrated protection functions including current limiting, thermal shutdown, and reverse‑current blocking. The session also outlines how GreenFET devices streamline power sequencing and reduce external component requirements.
