封装信息
| CAD 模型: | View CAD Model |
| Pkg. Type: | TOLT |
| Pkg. Code: | |
| Lead Count (#): | |
| Pkg. Dimensions (mm): | |
| Pitch (mm): |
环境和出口类别
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 |
| HTS (US) | 8541.29.0095 |
| RoHS (TP65B110HRU-TR) | 英语日文 |
| Pb (Lead) Free | |
| ECCN (US) |
产品属性
| Pkg. Type | TOLT |
| Carrier Type | Tape & Reel |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Temp. Range (°C) | -55 to +150°C |
| Blocking Capability | Bidirectional Switch |
| Ciss (Typical) (pF) | 810 |
| Coss (Typical) (pF) | 63 |
| Country of Assembly | MALAYSIA |
| Country of Wafer Fabrication | JAPAN |
| FET Type | N-Channel |
| Id max @ 25°C (A) | 24 |
| Qg typ (nC) | 6.8 |
| Qoss (nC) | 62 |
| Qualification Level | Standard |
| RDSON (Typ) (mΩ) | 110 |
| RDSON (max) (mΩ) | 140 |
| RXEN Polarity | Bidirectional GaN |
| Ron * Qoss (FOM) | 6820 |
| V(TR)DSS max (V) | 800 |
| Vds min (V) | 650 |
| Vth typ (V) | 3 |
有关 TP65B110HRU 的资源
描述
TP65B110HRU 是一款 650V 110mΩ 共漏双向开关（BDS），基于瑞萨电子的 SuperGaN® Gen I 双向平台构建。 该器件以紧凑的尺寸和出色的开关性能指标实现双向导流和电压阻断。 该器件将单片式、双向高压耗尽型 GaN 与常关断低压硅 MOSFET 相结合，为先进的功率应用提供卓越的性能、适用于标准栅极驱动的高阈值电压、易于集成的特性以及稳健的可靠性。