特性
- ±650V 連續峰值交流與直流額定電壓，±800V 瞬態額定電壓
- 具有高阈值（VTH）的绝缘栅
- 内置低压降续流二极管
- 零反向恢复电荷
- 低栅极电荷（Qg）和低输出电荷（Qoss）
- 高 dv/dt 抗扰度
- 高 di/dt 抗扰度
- 软开关和硬开关能力
- 瞬态过压能力
- 2kV ESD 能力（HBM 和 CDM）
- 符合 JEDEC 标准的 GaN 技术
- 符合 RoHS 标准和无卤素的封装
描述
TP65B110HRU 是一款 650V 110mΩ 共漏双向开关（BDS），基于瑞萨电子的 SuperGaN® Gen I 双向平台构建。 该器件以紧凑的尺寸和出色的开关性能指标实现双向导流和电压阻断。 该器件将单片式、双向高压耗尽型 GaN 与常关断低压硅 MOSFET 相结合，为先进的功率应用提供卓越的性能、适用于标准栅极驱动的高阈值电压、易于集成的特性以及稳健的可靠性。
产品参数
| 属性 | 值 |
|---|---|
| Blocking Capability | Bidirectional Switch |
| Qualification Level | Standard |
| Vds min (V) | 650 |
| V(TR)DSS max (V) | 800 |
| RDSON (Typ) (mΩ) | 110 |
| RDSON (max) (mΩ) | 140 |
| Vth typ (V) | 3 |
| Id max @ 25°C (A) | 24 |
| Qg typ (nC) | 6.8 |
| Qoss (nC) | 62 |
| Ron * Qoss (FOM) | 6820 |
| Ciss (Typical) (pF) | 810 |
| Coss (Typical) (pF) | 63 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Temp. Range (°C) | -55 to +150°C |
封装选项
| Pkg. Type |
|---|
| TOLT |
应用方框图
 | Single-Stage DAB-Based Solar Microinverter The system delivers 500W of high‑density, high‑efficiency GaN‑based microinverter power. |
其他应用
- 光伏逆变器
- AI 数据中心和电信电源
- 不间断电源（UPS）
- 电池充电器
- 电机驱动