概览
描述
TP65H050G4WS 650V 50mΩ 氮化镓 （GaN） FET 是使用我们的 GenIV 平台构建的常闭器件。 它将最先进的高压 GaN HEMT 与低压硅 MOSFET 相结合，以提供卓越的可靠性和性能。
瑞萨电子的 GaN 功率产品通过更低的栅极电荷、更低的交越损耗和更小的反向恢复电荷，提供比硅更高的效率。
TP65H050G4WS 采用行业标准的 3 引脚 TO-247 封装，具有通用源极封装配置。
特性
- 符合 JEDEC 标准的 GaN 技术
- Dynamic RDS（on）eff 经过生产测试
- 坚固的设计，定义
- 固有寿命测试
- 宽栅极安全裕度
- 瞬态过压能力
- 增强的浪涌电流能力
- 非常低的 QRR
- 减少分频损耗
- 支持 AC-DC 无桥图腾柱 PFC 设计
- 提高功率密度
- 减小系统尺寸和重量
- 总体降低系统成本
- 在硬开关和软开关电路中实现更高的效率
- 使用常用栅极驱动器易于驱动
- GSD 引脚布局改善了高速设计
- 符合 RoHS 标准和无卤素包装
产品对比
应用
设计和开发
软件与工具
开发板与套件
评估
TDINV3000W050B-KIT
不推荐用于新设计
3.0kW Inverter GaN Evaluation Platform
The TDINV3000W050B 3.0kW inverter evaluation kit provides an easy way to evaluate the performance advantages of our SuperGaN FETs in various inverter applications, such as V2G, solar, and UPS. The kit provides the main features of a single-phase inverter in a proven, functional configuration,...
评估
3.0kW Inverter GaN Evaluation Platform
The TDINV3000W050 3.0kW inverter evaluation kit provides an easy way to evaluate the performance advantages of GaN FETs in various inverter applications, such as solar and UPS. The kit provides the main features of a single-phase inverter in a proven, functional configuration, operating at or...
模型
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