特性
- 第四代技术
- 符合 JEDEC 标准的 GaN 技术
- 动态 RDS(on)eff 生产测试
- 坚固的设计,定义
- 宽栅极安全裕度
- 瞬态过压能力
- 非常低的 QRR
- 减少分频损耗
- 符合 RoHS 标准和无卤素包装
- 在硬开关和软开关电路中实现更高的效率
- 提高功率密度
- 减小系统尺寸和重量
- 总体降低系统成本
- 使用常用的栅极驱动器轻松驱动
- 用于提高性能的 Kelvin 源
- 采用 Si 和 SiC TO-247-4 的引脚对引脚插入式封装(注意:公端是源极与漏极)
描述
TP65H050G4YS 650V 50mΩ 氮化镓 (GaN) FET 是使用瑞萨电子第四代平台构建的常闭器件。 它结合了最先进的高压 GaN HEMT 和低压硅 MOSFET 技术,提供卓越的可靠性和性能。
瑞萨电子 GaN 通过更低的栅极电荷、更低的交越损耗和更小的反向恢复电荷,提供比硅更高的效率。
TP65H050G4YS采用行业标准的 TO-247-4 封装,具有 Kelvin 源极和通用源极封装配置。
应用
- 数据通信
- 博大实业
- 光伏逆变器
- 伺服电机
| 器件号 | 状态 | 样品 | 库存 | 封装 | 预算价格(美元) | Carrier Type | Moisture Sensitivity Level (MSL) | Mounting Type | Temp. Range (°C) | Country of Assembly | Country of Wafer Fabrication |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TP65H050G4YS | NRND | Available | 有库存 | TO-247-4L | 1ku | $4.16 | Tube | 3 | Through Hole | -55 to +150°C | CHINA | JAPAN |
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- 白皮书英语PDF 1.9 MB R16WP0012EU0100 Rev.1.00 2025年12月19日D-Mode GaN combines the best of both GaN and Silicon and is ideal for high-voltage applications with high-speed, high-voltage GaN switching, robust 4V threshold gate compatible with standard gate drivers, and a range of standard package offerings not available with other GaN technologies.
- 技术摘要英语PDF 992 KB R16TB0004EU0100 Rev.1.00 2025年12月02日
- 应用说明英语PDF 372 KB 2024年12月11日AI 生成的摘要: GaN power switches require careful PCB layout and probing techniques to fully utilize their fast switching capabilities. Minimizing parasitic inductances and capacitances in the power and gate drive loops reduces ringing and ensures stable operation. A large ground plane, close placement of power components, and short, wide traces in the gate drive circuit improve performance. Accurate probing demands short ground leads and direct probe placement to avoid measurement artifacts. Avoid adding parasitics during probing by using floating oscilloscopes and minimizing wire lengths. The document also highlights the importance of proper decoupling and grounding strategies for high-frequency switching circuits.
- 应用说明英语PDF 676 KB 2023年1月02日AI 生成的摘要: The document evaluates the DGD2304 high voltage, high speed half-bridge gate driver as a cost-effective solution for low- to mid-power GaN FET applications. It highlights the DGD2304’s compatibility with TTL/CMOS logic, 600 V bootstrap operation, internal deadtime to prevent shoot-through, and extended temperature range. The evaluation uses Transphorm’s 1200 W Buck/Boost kit and compares the DGD2304 to the higher-cost Si8230 driver. The document includes schematics and PCB layouts for daughter cards integrating the DGD2304, emphasizing its suitability for applications where isolation is unnecessary, such as power adapters and chargers. Design files like BOM, schematics, and Gerber files are bundled for reference.
- 应用说明英语PDF 1.26 MB 2022年4月07日AI 生成的摘要: Recommendations focus on lead-free second-level soldering for PQFN88, PQFN56, and TO-263 packages using vapor phase reflow. Key points include PCB footprint design to ensure optimal thermal and electrical performance, solder pad surface finish selection favoring Electroless Ni/Immersion Au (ENIG) for superior solder wetting, and solder stencil specifications with preferred thickness around 127µm. Vias in drain or source pads improve thermal conduction. Detailed stencil aperture dimensions and solder mask openings support self-alignment during reflow soldering. The document guides on solder paste printing and reflow parameters to achieve reliable assembly.
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手册和指南 (8)
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- 应用说明英语PDF 372 KB 2024年12月11日AI 生成的摘要: GaN power switches require careful PCB layout and probing techniques to fully utilize their fast switching capabilities. Minimizing parasitic inductances and capacitances in the power and gate drive loops reduces ringing and ensures stable operation. A large ground plane, close placement of power components, and short, wide traces in the gate drive circuit improve performance. Accurate probing demands short ground leads and direct probe placement to avoid measurement artifacts. Avoid adding parasitics during probing by using floating oscilloscopes and minimizing wire lengths. The document also highlights the importance of proper decoupling and grounding strategies for high-frequency switching circuits.
- 应用说明英语PDF 676 KB 2023年1月02日AI 生成的摘要: The document evaluates the DGD2304 high voltage, high speed half-bridge gate driver as a cost-effective solution for low- to mid-power GaN FET applications. It highlights the DGD2304’s compatibility with TTL/CMOS logic, 600 V bootstrap operation, internal deadtime to prevent shoot-through, and extended temperature range. The evaluation uses Transphorm’s 1200 W Buck/Boost kit and compares the DGD2304 to the higher-cost Si8230 driver. The document includes schematics and PCB layouts for daughter cards integrating the DGD2304, emphasizing its suitability for applications where isolation is unnecessary, such as power adapters and chargers. Design files like BOM, schematics, and Gerber files are bundled for reference.
- 应用说明英语PDF 1.26 MB 2022年4月07日AI 生成的摘要: Recommendations focus on lead-free second-level soldering for PQFN88, PQFN56, and TO-263 packages using vapor phase reflow. Key points include PCB footprint design to ensure optimal thermal and electrical performance, solder pad surface finish selection favoring Electroless Ni/Immersion Au (ENIG) for superior solder wetting, and solder stencil specifications with preferred thickness around 127µm. Vias in drain or source pads improve thermal conduction. Detailed stencil aperture dimensions and solder mask openings support self-alignment during reflow soldering. The document guides on solder paste printing and reflow parameters to achieve reliable assembly.
应用说明和白皮书 (4)
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