封装信息
| CAD 模型: | View CAD Model |
| Pkg. Type: | PQFN88, PP |
| Pkg. Code: | |
| Lead Count (#): | |
| Pkg. Dimensions (mm): | |
| Pitch (mm): |
环境和出口类别
| HTS (US) | 8541.29.0095 |
| RoHS (TP70H130G4PLSG-TR) | 英语日文 |
| Pb (Lead) Free | |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | |
| ECCN (US) |
产品属性
| Pkg. Type | PQFN88, PP |
| Carrier Type | Tape & Reel |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Temp. Range (°C) | -55 to +150°C |
| Country of Assembly | CHINA |
| Country of Wafer Fabrication | JAPAN |
| Blocking Capability | Uni-Directional Switch |
| Ciss (Typical) (pF) | 567 |
| Coss (Typical) (pF) | 28 |
| FET Type | N-Channel |
| Id max @ 25°C (A) | 16 |
| Qg typ (nC) | 10.7 |
| Qoss (nC) | 29.2 |
| Qualification Level | Standard |
| RDSON (Typ) (mΩ) | 130 |
| RDSON (max) (mΩ) | 163 |
| Ron * Qoss (FOM) | 3796 |
| V(TR)DSS max (V) | 800 |
| Vds min (V) | 700 |
| Vth typ (V) | 4 |
有关 TP70H130G4PLSG 的资源
描述
TP70H135G4PLSG 700V、13mΩ 氮化镓（GaN）FET 是基于瑞萨电子 Gen IV Plus 平台构建的常闭器件。 此款产品将最先进的高压 GaN 高电子迁移率晶体管（HEMT）与低压硅 MOSFET 相结合，具有卓越的性能、标准栅极驱动兼容性、易于采用和高可靠性。
Gen IV Plus SuperGaN ® 平台采用先进的外延和专利器件技术，简化了可制造性，同时通过降低栅极电荷、减少输出电容、最大限度减少交叉损耗和降低反向恢复电荷来提高效率。