2025年2月19日
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Renesas now offers the highest performance and reliability gallium nitride (GaN) solutions with the help of Transphorm. Discover how our GaN technology can enhance your next-generation system designs.
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氮化镓（GaN）技术凭借其宽禁带特性，成为实现高功率密度功率级的关键所在。 与碳化硅（SiC）相比，GaN 可更快速、更有效地推动 AI 基础设施、储能设备和电机驱动设备功率处理能力的提升，尤其是在 GaN 可替代硅 MOSFET 的应用场景中。 瑞萨电子是功率级 GaN 高电子迁移率晶体管（HEMT）领域的先驱，为功率范围从 25 W 到 10 kW 以上的各类应用场景提供可靠的高性能解决方案…