RTP100E005G1FL 低压 GaN 评估板

EVB-RTP100E005G1FL 评估板展示了瑞萨电子低压 GaN 技术在高效率同步降压转换器中的性能优势。 该评估板采用半桥配置，搭载两颗 RTP100E005G1FL 100V 增强型 GaN FET，并由 RRP68150 GaN 栅极驱动器驱动，为评估高频电源转换设计提供了紧凑的平台。

该评估板支持 48V 输入，输出为 12V，功率可达 240W，可在多种工作条件下评估开关性能、效率和功率密度。 集成测试点可简化开关波形测量和功率损耗分析，帮助设计人员优化下一代电源转换系统。