概述
EVB-RTP100E1P8G1FL-DSC 评估板展示了低压 GaN 技术在高效率同步降压转换器中的性能优势。 该评估板采用两个 RTP100E1P8G1FL-DSC 100V 增强型（E-mode）氮化镓（GaN）FET 构成半桥配置，并由 RRP68150 栅极驱动器驱动，为评估高频电源转换设计提供了一个紧凑的平台。
该评估板可在各种工作条件下评估开关性能、效率、热特性和功率密度。 集成测试点可简化波形测量和功率损耗分析，有助于优化功率级布局，并展示低压 GaN 技术如何改善下一代电源转换系统。
特性
- 可在各种工作条件下对低压 GaN 进行性能测试
- 灵活且易于使用的降压转换器评估板
- 使用 RRP68150 栅极驱动器评估系统性能
- 高频电源转换优化
- 便捷的波形测量测试点
- 支持高效率、高功率密度的设计
EVB-RTP100E1P8G1FL-DSC 评估板 - 顶视图
设计文件与文档
加载中
- 白皮书英语Low-voltage GaN technology delivers significant gains in efficiency, power density, and switching performance over conventional silicon devices. This paper explores GaN fundamentals, key performance benefits, and applications in data center power conversion and motor drive systems, while providing guidance for evaluating low-voltage GaN adoption.
- PCB 设计文件英语The design files for the EVB-RTP100E1P8G1FL-DSC evaluation board include the schematic and PCB layout files used in the board design. These resources provide insight into the board's implementation and can assist with design review, customization, and evaluation of the RTP100E1P8G1FL-DSC low-voltage GaN device.
- 应用说明英语Renesas low-voltage GaN devices enable high-efficiency, high-power-density power conversion through ultra-fast switching and low-loss operation. Achieving optimal performance requires careful PCB layout and gate drive design to minimize parasitics and switching noise. This application note provides practical design recommendations and implementation guidance for low-voltage GaN power systems.
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手册和指南 (1)
- 白皮书英语Low-voltage GaN technology delivers significant gains in efficiency, power density, and switching performance over conventional silicon devices. This paper explores GaN fundamentals, key performance benefits, and applications in data center power conversion and motor drive systems, while providing guidance for evaluating low-voltage GaN adoption.
- 应用说明英语Renesas low-voltage GaN devices enable high-efficiency, high-power-density power conversion through ultra-fast switching and low-loss operation. Achieving optimal performance requires careful PCB layout and gate drive design to minimize parasitics and switching noise. This application note provides practical design recommendations and implementation guidance for low-voltage GaN power systems.
应用说明和白皮书 (2)
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- PCB 设计文件英语The design files for the EVB-RTP100E1P8G1FL-DSC evaluation board include the schematic and PCB layout files used in the board design. These resources provide insight into the board's implementation and can assist with design review, customization, and evaluation of the RTP100E1P8G1FL-DSC low-voltage GaN device.
原理图和设计文件 (1)
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试用样品与购买
视频和培训
REXGaN 100V GaN FETs deliver ultra-fast switching, low power loss, and high-power density for next-generation power conversion applications. Built on the Renesas REXGaN platform, these e-mode GaN power transistors combine low RDS(on), advanced packaging, and enhanced thermal performance to improve system efficiency. Silicon footprint compatibility enables low-friction migration from traditional silicon-based solutions while supporting higher performance and power density.
新闻和博客
博客 2026年10月1日 |
