概述
EVB-RTP100E2P6G1FL 评估板展示了 RTP100E2P6G1FL 100V 2.6mΩ 增强型（e-mode）氮化镓（GaN）场效应管（FET）在高效率电源转换场景中的性能。 该评估板基于瑞萨电子低压 GaN 技术和 RRP68150 GaN 栅极驱动器构建，为评估开关特性、效率和整体系统性能提供了实用的平台。
此款评估板展示了超快开关和低损耗运行的优势，可帮助开发者更轻松地从传统硅 MOSFET 过渡到 GaN 技术。 凭借便捷的测量点和成熟的功率级设计，该评估板可进行性能比较、布局优化，并帮助用户更深入了解 GaN 技术如何提高下一代电源系统的效率和功率密度。
特性
- 在宽范围的 Vin、Vout、Fsw 和 Pout 条件下对低压 GaN 进行性能测试
- 灵活且易于使用的降压转换器评估板
- 支持 48V 输入和 12V 输出，输出功率最高可达 330W
- 工作开关频率范围为 250kHz 至 500kHz
- 高频电源转换优化
- 便捷的波形测量测试点
- 支持高效率、高功率密度的设计
- 采用占位面积兼容的 GaN FET 封装，可简化从硅 MOSFET 解决方案的迁移
试用样品与购买
EVB-RTP100E2P6G1FL
有效视频和培训
REXGaN 100V GaN FETs deliver ultra-fast switching, low power loss, and high-power density for next-generation power conversion applications. Built on the Renesas REXGaN platform, these e-mode GaN power transistors combine low RDS(on), advanced packaging, and enhanced thermal performance to improve system efficiency. Silicon footprint compatibility enables low-friction migration from traditional silicon-based solutions while supporting higher performance and power density.
新闻和博客
博客 2026年10月1日 |
