概述
EVB-RTP100E2P6G1FL 评估板展示了 RTP100E2P6G1FL 100V 2.6mΩ 增强型（e-mode）氮化镓（GaN）场效应管（FET）在高效率电源转换场景中的性能。 该评估板基于瑞萨电子低压 GaN 技术和 RRP68150 GaN 栅极驱动器构建，为评估开关特性、效率和整体系统性能提供了实用的平台。
此款评估板展示了超快开关和低损耗运行的优势，可帮助开发者更轻松地从传统硅 MOSFET 过渡到 GaN 技术。 凭借便捷的测量点和成熟的功率级设计，该评估板可进行性能比较、布局优化，并帮助用户更深入了解 GaN 技术如何提高下一代电源系统的效率和功率密度。
特性
- 在宽范围的 Vin、Vout、Fsw 和 Pout 条件下对低压 GaN 进行性能测试
- 灵活且易于使用的降压转换器评估板
- 支持 48V 输入和 12V 输出，输出功率最高可达 330W
- 工作开关频率范围为 250kHz 至 500kHz
- 高频电源转换优化
- 便捷的波形测量测试点
- 支持高效率、高功率密度的设计
- 采用占位面积兼容的 GaN FET 封装，可简化从硅 MOSFET 解决方案的迁移
EVB-RTP100E2P6G1FL 评估板 - 顶视图
设计文件与文档
加载中
- 白皮书英语Low-voltage GaN technology delivers significant gains in efficiency, power density, and switching performance over conventional silicon devices. This paper explores GaN fundamentals, key performance benefits, and applications in data center power conversion and motor drive systems, while providing guidance for evaluating low-voltage GaN adoption.
- PCB 设计文件英语The design files for the EVB-RTP100E2P6G1FL evaluation board include the schematic and PCB layout files used in the board design. These resources provide insight into the board's implementation and can assist with design review, customization, and evaluation of the RTP100E2P6G1FL low-voltage GaN device.
- 应用说明英语Renesas low-voltage GaN devices enable high-efficiency, high-power-density power conversion through ultra-fast switching and low-loss operation. Achieving optimal performance requires careful PCB layout and gate drive design to minimize parasitics and switching noise. This application note provides practical design recommendations and implementation guidance for low-voltage GaN power systems.
- 手册 - 开发工具英语The EVB-RTP100E2P6G1FL evaluation board showcases the performance of the RTP100E2P6G1FL 100V enhancement-mode gallium nitride (GaN) FET in high-efficiency power conversion applications. Built around Renesas low-voltage GaN technology and a dedicated GaN gate driver, it provides a platform for evaluating switching performance, efficiency, power density, and system design tradeoffs. This evaluation board manual includes setup, operation, and testing guidance.
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手册和指南 (1)
- 白皮书英语Low-voltage GaN technology delivers significant gains in efficiency, power density, and switching performance over conventional silicon devices. This paper explores GaN fundamentals, key performance benefits, and applications in data center power conversion and motor drive systems, while providing guidance for evaluating low-voltage GaN adoption.
- 应用说明英语Renesas low-voltage GaN devices enable high-efficiency, high-power-density power conversion through ultra-fast switching and low-loss operation. Achieving optimal performance requires careful PCB layout and gate drive design to minimize parasitics and switching noise. This application note provides practical design recommendations and implementation guidance for low-voltage GaN power systems.
应用说明和白皮书 (2)
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原理图和设计文件 (1)
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试用样品与购买
视频和培训
REXGaN 100V GaN FETs deliver ultra-fast switching, low power loss, and high-power density for next-generation power conversion applications. Built on the Renesas REXGaN platform, these e-mode GaN power transistors combine low RDS(on), advanced packaging, and enhanced thermal performance to improve system efficiency. Silicon footprint compatibility enables low-friction migration from traditional silicon-based solutions while supporting higher performance and power density.
新闻和博客
博客 2026年10月1日 |
