特性
- Super low on-state resistance
RDS(on)1 = 2.8 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 55 A)
RDS(on)2 = 3.7 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 55 A) - High current rating: ID(DC) = ±110 A
描述
The 2SK3812 is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications.
产品参数
| 属性 | 值 |
|---|---|
| Qualification Level | Industrial |
| Nch/Pch | Nch |
| Channels (#) | 1 |
| Standard Pkg. Type | TO-263 / D2PAK |
| Gate Level | Logic |
| VDSS (Max) (V) | 60 |
| ID (A) | 110 |
| RDS (ON) (Max) @10V (mohm) | 2.8 |
| RDS (ON) (Max) @4.5V (mohm) | 3.7 |
| Pch (W) | 213 |
| Ciss (Typical) (pF) | 16800 |
| Qg typ (nC) | 250 |
封装选项
| Pkg. Type | Pkg. Dimensions (mm) | Lead Count (#) |
|---|---|---|
| MP-25ZP | 10 x 9 x 4.9 | 3 |
| Part Number | Status | Samples | Stock | Package | Budgetary Price (USD) | Lead Count (#) | Carrier Type | Moisture Sensitivity Level (MSL) | Pb (Lead) Free | Country of Assembly | Country of Wafer Fabrication |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SK3812-ZP-E1-AZ | Active | Available | In Stock | MP-25ZP | 1ku | $2.503 | 3# | Embossed Tape | 1 | Yes | MALAYSIA | JAPAN |
| 2SK3812(0)-ZP-E1-AY | Active | N/A | Out of Stock | MP-25ZP | 1ku | $2.26 | 3# | Embossed Tape | 1 | Yes | MALAYSIA | JAPAN |
| 2SK3812(0)-ZP-E1-AZ | Active | N/A | Out of Stock | MP-25ZP | 3# | Embossed Tape | 1 | Yes | |||
| 2SK3812-ZP-E1-AY | Obsolete | N/A | Out of Stock | MP-25ZP | 3# | Embossed Tape | 1 | Yes |
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- 应用说明英语AI 生成的摘要: The document outlines derating standards for Power MOSFETs and IGBTs, emphasizing temperature, humidity, voltage, current, and power limits to ensure device reliability. It discusses package type selection between hermetic sealed and plastic molded types, highlighting the advantages of surface-mount packages for miniaturization. It also details precautions for physical handling, including proper lead forming, cutting, and mounting techniques to prevent stress and damage during installation.
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应用说明和白皮书 (4)
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