特性
- Super low on-state resistance RDS(on)1 = 48 mΩ MAX. (VGS = −10 V, ID = −10 A) RDS(on)2 = 64 mΩ MAX. (VGS = −4.5 V, ID = −10 A)
- Low input capacitance Ciss = 1650 pF TYP.
- Built-in gate protection diode
描述
The NP20P06SLG is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications.
产品参数
| 属性 | 值 |
|---|---|
| Qualification Level | Automotive |
| Nch/Pch | Pch |
| Channels (#) | 1 |
| Standard Pkg. Type | TO-252 / DPAK |
| Gate Level | Logic |
| VDSS (Max) (V) | -60 |
| ID (A) | -20 |
| RDS (ON) (Max) @10V (mohm) | 48 |
| RDS (ON) (Max) @4.5V (mohm) | 64 |
| Pch (W) | 38 |
| Ciss (Typical) (pF) | 1650 |
| Qg typ (nC) | 34 |
| Series Name | NP Series |
封装选项
| Pkg. Type | Pkg. Dimensions (mm) | Lead Count (#) |
|---|---|---|
| MP-3ZK | 6 x 6 x 2.65 | 3 |
应用方框图
 | Zone-ECU 虚拟化解决方案平台 Zone-ECU 虚拟化平台将虚拟 ECU 集成在一个物理单元上，从而降低成本并实现安全设计。 |
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| Part Number | Status | Samples | Stock | RoHS | Package | Budgetary Price (USD) | Lead Count (#) | Carrier Type | Moisture Sensitivity Level (MSL) | Pb (Lead) Free | Country of Assembly | Country of Wafer Fabrication |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NP20P06SLG-E1-AY | Active | Available | In Stock | Contact | MP-3ZK | 1ku | $0.56 | 3# | Embossed Tape | 1 | Yes | MALAYSIA | JAPAN |
| NP20P06SLG-E2-AY | Obsolete | N/A | Out of Stock | RoHS:EN RoHS:JA | MP-3ZK | 3# | Embossed Tape | 1 | Yes |
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- 应用说明英语AI 生成的摘要: The document outlines derating standards for Power MOSFETs and IGBTs, emphasizing temperature, humidity, voltage, current, and power limits to ensure device reliability. It discusses package type selection between hermetic sealed and plastic molded types, highlighting the advantages of surface-mount packages for miniaturization. It also details precautions for physical handling, including proper lead forming, cutting, and mounting techniques to prevent stress and damage during installation.
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