特性
- 符合 JEDEC 标准的 GaN 技术
- Dynamic RDS（on）eff 经过生产测试
- 坚固的设计，定义
- 固有寿命测试
- 宽栅极安全裕度
- 瞬态过压能力
- 非常低的 QRR
- 减少分频损耗
- 符合 RoHS 标准和无卤素包装
- 支持 AC-DC 和 DC-DC 设计
- 提高功率密度
- 减小系统尺寸和重量
- 总体降低系统成本
- 在硬开关和软开关电路中实现更高的效率
- 使用常用栅极驱动器易于驱动
描述
TP65H300G4LSG 650V 240mΩ 氮化镓 （GaN） FET 是使用瑞萨电子第四代平台构建的常闭器件。 它结合了最先进的高压 GaN HEMT 和低压硅 MOSFET 技术，提供卓越的可靠性和性能。
瑞萨电子 GaN 通过更低的栅极电荷、更低的交越损耗和更小的反向恢复电荷，提供比硅更高的效率。
TP65H300G4LSG采用行业标准的 PQFN88 封装，具有通用的源封装配置。
产品参数
| 属性 | 值 |
|---|---|
| Qualification Level | Standard |
| Vds min (V) | 650 |
| V(TR)DSS max (V) | 800 |
| RDSON (Typ) (mΩ) | 240 |
| RDSON (max) (mΩ) | 312 |
| Vth typ (V) | 2.1 |
| Id max @ 25°C (A) | 6.5 |
| Qrr typ (nC) | 23 |
| Qg typ (nC) | 9.6 |
| Qoss (nC) | 19 |
| Ron * Qoss (FOM) | 4560 |
| Ciss (Typical) (pF) | 760 |
| Coss (Typical) (pF) | 16 |
| trr (Typical) (nS) | 16 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Temp. Range (°C) | -55 to +150°C |
封装选项
| Pkg. Type | Pkg. Dimensions (mm) |
|---|---|
| PQFN88 | 8 x 8 |
应用方框图
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1.2kW 高压 GaN 逆变器
采用了基于 GaN 的 PFC 的高效高压 GaN 逆变器，适用于工业电机驱动。
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其他应用
- 消费领域
- 电源适配器
- 低功耗 SMPS
- 照明系统