特性
- VDSS = 80V
- 标准栅极驱动电压：VGS(th) = 2.0V ~ 4.0V
- 低导通电阻：RDS（on） = 17.2mΩ max.
- ID = 30A
- 低输入电容
- 低热阻
- 100% 通过雪崩测试
- 无铅电镀：符合 RoHS 标准
- MSL1（依据IPC/JEDEC J-STD-020）
描述
RBE172N08R1SZN2 N沟道功率 MOSFET 采用 REXFET-1 分离栅技术, 提供 µSO8-FL (3x3) 封装。 µSO8-FL (3x3)封装采用超紧凑无引脚设计和可润湿侧翼结构, 可增强热性能和可靠性并提高组装的便利性。
瑞萨电子的 REXFET-1 分离栅技术非常适合需要低 RDS(on) 和重视开关能力的场景，是大功率和高频应用的理想选择。
产品参数
| 属性 | 值 |
|---|---|
| Qualification Level | Industrial |
| Nch/Pch | Nch |
| Channels (#) | 1 |
| Standard Pkg. Type | μSO8-FL 3x3 BSC |
| Gate Level | Standard |
| VDSS (Max) (V) | 80 |
| ID (A) | 30 |
| RDS (ON) (Max) @10V (mohm) | 17.2 |
| Pch (W) | 37 |
| Ciss (Typical) (pF) | 990 |
| Qg typ (nC) | 17 |
| Series Name | REXFET-1 |
封装选项
| Pkg. Type | Pkg. Dimensions (mm) | Lead Count (#) |
|---|---|---|
| μSO8-FL | 3.30 x 3.50 x 0.85 | 8 |
产品对比
| RBE172N08R1SZN2 | RBA30N08EANS-5UA17 | RBE093N08R1SZN2 | RBE056N08R1SZN6 | |
| VDSS (Max) (V) | 80 | 80 | 80 | 80 |
| RDS (ON) (Max) @10V (mohm) | 17.2 | 17.2 | 9.3 | 5.6 |
| ID (A) | 30 | 30 | 50 | 90 |
| Standard Pkg. Type | μSO8-FL 3x3 BSC | μSO8-FL 3x3 BSC | μSO8-FL 3x3 BSC | SO8-FL 5x6 BSC |
| Qualification Level | Industrial | Automotive | Industrial | Industrial |
应用
- 电机控制
- 数据中心
- 能源基础设施
- 工业自动化
- DC/DC 电源转换
- 电动工具
- 机器人