特性
- Logic level operation.
- Built-in the over temperature shut-down circuit.
- High endurance capability against to the short circuit.
- Latch type shut down operation (need 0 voltage recovery).
- Built-in the current limitation circuit.
- Power supply voltage applies 12 V.
- AEC-Q101 Compliant.
- Endurance capability against to ESD.
描述
This FET has the over temperature shut-down capability sensing to the junction temperature. This FET has the built-in
over temperature shut-down circuit in the gate area. And this circuit operation to shut-down the gate voltage in case of
high junction temperature like applying over power consumption, over current etc..
产品参数
| 属性 | 值 |
|---|---|
| Qualification Level | Automotive |
| Nch/Pch | Nch |
| Channels (#) | 1 |
| Standard Pkg. Type | TO-252 / DPAK |
| Gate Level | Logic |
| VDSS (Max) (V) | 40 |
| ID (A) | 34 |
| RDS (ON) (Max) @10V (mohm) | 37 |
| Pch (W) | 40 |
| Series Name | Thermal FETs |
封装选项
| Pkg. Type | Lead Count (#) |
|---|---|
| DPAK(S) | 4 |
应用方框图
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| Part Number | Status | Samples | Stock | Package | Budgetary Price (USD) | Lead Count (#) | Carrier Type | Moisture Sensitivity Level (MSL) | Pb (Lead) Free | Country of Assembly | Country of Wafer Fabrication |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RJF0411JPD-00#J3 | Active | N/A | Out of Stock | DPAK(S) | 1ku | $0.849 | 4# | Embossed Tape | 1 | Yes | MALAYSIA | JAPAN |
| RJF0411JPD-01#J3 | Active | Available | Out of Stock | DPAK(S) | 1ku | $0.837 | 4# | Embossed Tape | 1 | Yes | MALAYSIA | JAPAN |
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