特性
- 接受 3.3V/5V 逻辑电平 PWM 输入
- 用于 GaN/MOSFET 的 7.2A 拉电流和 5.3A 灌电流栅极驱动器
- 可单独调节开启和关闭速度
- 支持正负 PWM 或 EN 输入逻辑
- 极快的传播延迟：5ns 典型延迟
- 7ns 最小输入脉冲宽度
- 4ns 典型上升和下降时间
- 5V 电源
- VDD 欠压锁定 （UVLO） 和过温保护 （OTP）
- 小型封装，低寄生电感，支持高达 30MHz 的开关频率应用
- 低功耗
- 2mm × 2mm SCTDFN 封装
RRP63175 Low-Side Driver Typical Application
描述
RRP63175 是一款用于 E 模式 GaN 和逻辑电平 MOSFET 的高频单通道低侧栅极驱动器。 5V供电、7.2A 拉电流和 5.3A灌电流，同时支持 3.3V 和 5V 逻辑电平 PWM 输入信号。
该 RRP63175 的典型传播延迟仅为 5ns，非常适合高频开关应用。 它能够在高达 30MHz 的频率下工作。
产品参数
| 属性 | 值 |
|---|---|
| Drivers (#) | 1 |
| Input Voltage (Max) (V) | 6 |
| Peak Output Current IPK (A) | 7.2 |
| Rise Time (μs) | 0.004 |
| Fall Time | 0.004 |
| Turn On Delay (ns) | 5 |
| Turn Off Delay (ns) | 5 |
| IS (mA) | 5.9 |
| Input Supply Range (V) | 5.5 |
| Output Signal Range | 0 - 5.5 |
| Input Signal Range | 0 - 3.3/5 |
| Simulation Model Available | iSim |
封装选项
| Pkg. Type | Pkg. Dimensions (mm) | Lead Count (#) | Pitch (mm) |
|---|---|---|---|
| SCDFN | 2.0 x 2.0 x 0.75 | 6 | 0.7 |
应用
- GaN/MOSFET 同步整流器
- 电源模块
- DC/DC 转换器
Renesas Boards & Kits
RTKP63175
有效
RPP63175 Low-Side Driver Evaluation Board with GaN/MOSFET in Boost System
The RRP63175 evaluation boards (RTKP63175DE00000BC and RTKP63175DE00010BC) enable a rapid and thorough evaluation of the RRP63175, a single low-side driver capable of driving 7.2A source and 5.3A sink currents. These boards are designed to efficiently drive the gates of either GaN FETs... 阅读详情
