特性
- 115V 的自举供电，可支持半桥电路中最高达 100V 的工作电压
- 3A灌电流、4A拉电流栅极驱动器
- 传播延迟快：典型延迟为 30ns
- 集成 0.5Ω 典型自举二极管
- 6V 至 18V 宽工作电压范围
- VDD 和boot欠压锁定 （UVLO）
- 抗干扰能力强：输入端具有宽滞后特性
- HS 引脚可承受高达 -10V 的连续电压
- 三电平PWM输入，逻辑阈值电平由外部VREF引脚设置，范围为2.7V至5.5V
- 可编程死区时间可防止上下管直通，通过单个电阻即可在 35ns 到 350ns 范围内调节
描述
RRP68145是一款100V、3A灌电流、4A拉电流、高频MOSFET半桥驱动器。 该RRP68145具有三电平PWM输入，具有可编程的死区时间。 其工作电压范围宽达 6V 至 18V，并集成了高压侧自举二极管，可在 100V 半桥应用中驱动高压侧和低压侧 NMOS。
RRP68145具备强大的电流驱动能力——3A灌电流、4A拉电流及 30ns典型传播延迟，使其成为高频开关应用的最佳选择。 VDD 和 boot UVLO 可防止欠压运行。
脉宽调制 （PWM） 引脚的三电平输入通过单个引脚控制高侧和低侧驱动器。 当PWM输入为逻辑高电平时，高侧MOS管导通，低侧MOS管关断。 当PWM输入处于中间电平状态时，高侧和低侧MOS管均关闭。 PWM阈值电平与REF输入电压范围（VREF）引脚上的外部输入基准电压成正比，允许在2.7V至5.5V逻辑范围内进行PWM工作。
该RRP68145采用16 Lid、3mm x 3mm QFN封装。
产品参数
| 属性 | 值 |
|---|---|
| Bootstrap Supply Voltage (Max) (V) | 115 |
| VBIAS (Max) (V) | 18 |
| Peak Pull-up Current (A) | 3 |
| Peak Pull-down Current (A) | 4 |
| Turn-On Prop Delay (ns) | 70 |
| Turn-Off Prop Delay (ns) | 30 |
| Rise Time (μs) | 20 |
| Fall Time | 20ns |
| Input Logic Level | 5V |
| Qualification Level | Standard |
封装选项
| Pkg. Type | Pkg. Dimensions (mm) | Lead Count (#) | Pitch (mm) |
|---|---|---|---|
| QFN | 3.0 x 3.0 x 0.75 | 16 | 0.6 |
应用
- 数据中心半桥和全桥DC/DC转换器
- 混合开关电容转换器
- H桥电机驱动器
- 双开关正激变换器和有源箝位变换器
- 多相 PWM DC/DC 控制器
- D 类放大器
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