封装信息
| CAD 模型: | View CAD Model |
| Pkg. Type: | FCQFN |
| Pkg. Code: | L5O |
| Lead Count (#): | 16 |
| Pkg. Dimensions (mm): | 3.0 x 3.0 x 0.75 |
| Pitch (mm): | 0.6 |
环境和出口类别
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 |
| Pb (Lead) Free | Yes |
| ECCN (US) | |
| HTS (US) |
产品属性
| Lead Count (#) | 16 |
| Carrier Type | Reel |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 |
| Pitch (mm) | 0.6 |
| Pkg. Dimensions (mm) | 3.0 x 3.0 x 0.75 |
| Pb (Lead) Free | Yes |
| Pb Free Category | Pb-Free 100% Matte Tin Plate w/Anneal-e3 |
| Bootstrap Supply Voltage (Max) (V) | 115 |
| Charge Pump | No |
| Fall Time | 20ns |
| Input Logic Level | 5V |
| Length (mm) | 3 |
| MOQ | 6000 |
| Parametric Category | Half-Bridge FET Drivers |
| Peak Pull-down Current (A) | 4 |
| Peak Pull-up Current (A) | 3 |
| Pkg. Type | FCQFN |
| Qualification Level | Standard |
| Rise Time (μs) | 20 |
| Thickness (mm) | 0.75 |
| Turn-Off Prop Delay (ns) | 30 |
| Turn-On Prop Delay (ns) | 70 |
| VBIAS (Max) (V) | 18 |
| Width (mm) | 3 |
有关 RRP68145 的资源
描述
RRP68145是一款100V、3A灌电流、4A拉电流、高频MOSFET半桥驱动器。 该RRP68145具有三电平PWM输入，具有可编程的死区时间。 其工作电压范围宽达 6V 至 18V，并集成了高压侧自举二极管，可在 100V 半桥应用中驱动高压侧和低压侧 NMOS。
RRP68145具备强大的电流驱动能力——3A灌电流、4A拉电流及 30ns典型传播延迟，使其成为高频开关应用的最佳选择。 VDD 和 boot UVLO 可防止欠压运行。
脉宽调制 （PWM） 引脚的三电平输入通过单个引脚控制高侧和低侧驱动器。 当PWM输入为逻辑高电平时，高侧MOS管导通，低侧MOS管关断。 当PWM输入处于中间电平状态时，高侧和低侧MOS管均关闭。 PWM阈值电平与REF输入电压范围（VREF）引脚上的外部输入基准电压成正比，允许在2.7V至5.5V逻辑范围内进行PWM工作。
该RRP68145采用16 Lid、3mm x 3mm QFN封装。