TP65H020G4PLSGBD-TR

TP65H020G4PLSGBD 是一款 650V、20mΩ 氮化镓（GaN）场效应管（FET），基于瑞萨电子第四代 Plus 平台打造。 这款常关型开关将用于实现快速开关和高可靠性的高压耗尽型（D-mode）GaN 高电子迁移率晶体管（HEMT），与可兼容标准栅极驱动器的低压硅金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）相结合。

TP65H020G4PLSGBD 采用带双面散热能力的薄型 8x8 PQFN 封装，具有增强的散热性能，并支持高系统级功率密度。 其低栅极电荷、低输出电荷、可忽略不计的反向恢复电荷以及软开关和硬开关能力，有助于提高电源转换效率，同时减小系统尺寸、重量并降低成本。