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特性

  • 采用 TOLL 封装的 30mOhm、650V GaN 器件
  • 符合 JEDEC 标准的 GaN 技术
  • 低動態電阻Dynamic RDS(on)eff 驗証
  • 零反向恢复电荷
  • 减少分频损耗
  • 在硬开关和软开关电路中实现更高的效率,从而实现:
    • 提高功率密度
    • 减小系统尺寸和重量
    • 整体降低系统成本

描述

TP65H030G4PQS、650V、30mΩ 氮化镓 ,TOLL (GaN) FET, ,是一款采用瑞萨电子第四代加 SuperGaN® 的常闭器件。 它将最先进的高压 GaN 高电子迁移率晶体管 (HEMT) 与优化的低压硅 MOSFET 相结合,提供卓越的性能、标准驱动、易于采用和增强的可靠性。

产品参数

属性
Qualification Level Standard
Vds min (V) 650
V(TR)DSS max (V) 800
RDSON (Typ) (mΩ) 30
RDSON (max) (mΩ) 41
Vth typ (V) 4
Id max @ 25°C (A) 55.7
Qrr typ (nC) 0
Qg typ (nC) 24.5
Qoss (nC) 135
Ron * Qoss (FOM) 4050
Ciss (Typical) (pF) 1500
Coss (Typical) (pF) 127
trr (Typical) (nS) 36
Mounting Type Surface Mount
Temp. Range (°C) -55 to +150°C

封装选项

Pkg. Type
TOLL

应用方框图

Interactive block diagram of a hybrid inverter with an intermediate DC Bus architecture
混合逆变器
该混合逆变器系统采用混合架构和 MPPT 算法,可实现高效的能源存储。

其他应用

  • AI 数据中心和电信电源
  • 电动汽车充电
  • 光伏逆变器
  • 不间断电源 (UPS)
  • 電池儲能裝置 (BESS)

当前筛选条件

The latest generation of high-voltage Gallium Nitride (GaN) FETs offers superior thermal efficiency and ultra-low power loss, enabling high-density power conversion in multi-kilowatt AI datacenters, industrial systems, and charging applications.

Related Resources