封装信息
| CAD 模型: | View CAD Model |
| Pkg. Type: | TOLT |
| Pkg. Code: | |
| Lead Count (#): | |
| Pkg. Dimensions (mm): | |
| Pitch (mm): |
环境和出口类别
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 |
| ECCN (US) | EAR99 |
| HTS (US) | 8541.49.7040 |
| Pb (Lead) Free |
产品属性
| Pkg. Type | TOLT |
| Carrier Type | Tape & Reel |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Temp. Range (°C) | -55 to +150°C |
| Ciss (Typical) (pF) | 1500 |
| Coss (Typical) (pF) | 127 |
| Country of Assembly | CHINA |
| Country of Wafer Fabrication | JAPAN |
| FET Type | N-Channel |
| Id max @ 25°C (A) | 55.7 |
| Price (USD) | $5.5998 |
| Qg typ (nC) | 24.5 |
| Qoss (nC) | 135 |
| Qualification Level | Standard |
| Quality Level | Standard |
| RDSON (Typ) (mΩ) | 30 |
| RDSON (max) (mΩ) | 41 |
| Ron * Qoss (FOM) | 4050 |
| V(TR)DSS max (V) | 800 |
| Vds min (V) | 650 |
| Vth typ (V) | 4 |
| trr (Typical) (nS) | 36 |
有关 TP65H030G4PRS 的资源
描述
TP65H030G4PRS、650V、30mΩ 氮化镓 （GaN） FET 采用顶部冷却 TOLT 封装，是一款采用瑞萨电子第四代加 SuperGaN® 的常闭器件。 它将高压 GaN 高电子迁移率晶体管 （HEMT） 与优化的低压硅 MOSFET 相结合，以提供卓越的性能、标准驱动、易于采用和增强可靠性。