瑞萨电子 (Renesas Electronics Corporation)
搜索

TP65H030G4PRS

NEW 有效

650V 30mΩ,TOLT 封裝 SuperGaN FET

立即订购

概览

TP65H030G4PRS、650V、30mΩ 氮化镓 （GaN） FET 采用顶部冷却 TOLT 封装，是一款采用瑞萨电子第四代加 SuperGaN® 的常闭器件。 它将高压 GaN 高电子迁移率晶体管 （HEMT） 与优化的低压硅 MOSFET 相结合，以提供卓越的性能、标准驱动、易于采用和增强可靠性。

TP65H030G4PRS Package and Circuit
TP65H030G4PRS Package and Circuit
  • 采用 TOLT 封装的 30mOhm、650V GaN 器件
  • 符合 JEDEC 标准的 GaN 技术
  • 低動態電阻Dynamic RDS（on）eff 驗証
  • 零反向恢复电荷
  • 减少分频损耗
  • 在硬开关和软开关电路中实现更高的效率，从而实现：
    • 提高功率密度
    • 减小系统尺寸和重量
    • 整体降低系统成本

文档

相关文档
类型 文档标题 日期
数据手册
TP65H030G4PRS Datasheet
PDF 901 KB
白皮书
The Fundamental Advantages of Normally-Off D-Mode GaN
PDF 1.92 MB
其他
TOLL 3D Files
ZIP 452 KB
指南
Multi-pulse Testing for GaN Layout Verification
PDF 273 KB
相关文件：
4 项目

设计和开发

软件下载
类型 文档标题 日期
PCB 设计文件
Ultrafast Overcurrent Breaker Circuit for Prototyping Design Files
ZIP 2.70 MB
相关文件：
1 项目
RTDTTP4200W066A-KIT Evaluation Board - Angle
评估
RTDTTP4200W066A-KIT 有效

4.2kW Digital Bridgeless Totem-Pole PFC Evaluation Board

The RTDTTP4200W066A 4.2kW bridgeless totem-pole power factor correction (PFC) evaluation board enables highly efficient single-phase AC/DC conversion using the latest Renesas Gen IV Plus SuperGaN® FET. The TP65H030G4PWS is a diode-free Gallium Nitride (GaN) FET bridge with low reverse recovery...

立即订购

ECAD 模块

点击产品选项表中的 CAD 模型链接，查找 SamacSys 中的原理图符号、PCB 焊盘布局和 3D CAD 模型。如果符号和模型不可用，可直接在 SamacSys 请求该符号或模型。

扩展 ECAD 模块
Diagram of ECAD Models

模型
类型 文档标题 日期
模型 - SPICE
TP65H030G4PRS SPICE Model
ZIP 69 KB
1 项目

产品选项

当前筛选条件

视频和培训

Gen IV Plus 650V SuperGaN FETs

The latest generation of high-voltage Gallium Nitride (GaN) FETs offers superior thermal efficiency and ultra-low power loss, enabling high-density power conversion in multi-kilowatt AI datacenters, industrial systems, and charging applications.

Related Resources

Video List
Gen IV Plus 650V SuperGaN FETs

新闻和博客

博客
2025年7月2日
使用 瑞萨电子GaN 为高性能系统供电
新闻
2025年7月1日
瑞萨电子推出全新GaN FET，增强高密度功率转换能力，适用于AI数据中心、工业及电源系统应用
博客
2025年6月19日
高性能系统如何从 GaN 和低压 MOSFET 中受益