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TP65H030G4PRS

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650V 30mΩ,TOLT 封裝 SuperGaN FET

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TP65H030G4PRS Datasheet

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TP65H030G4PRS、650V、30mΩ 氮化镓 （GaN） FET 采用顶部冷却 TOLT 封装，是一款采用瑞萨电子第四代加 SuperGaN® 的常闭器件。 它将高压 GaN 高电子迁移率晶体管 （HEMT） 与优化的低压硅 MOSFET 相结合，以提供卓越的性能、标准驱动、易于采用和增强可靠性。

TP65H030G4PRS Package and Circuit
TP65H030G4PRS Package and Circuit
  • 采用 TOLT 封装的 30mOhm、650V GaN 器件
  • 符合 JEDEC 标准的 GaN 技术
  • 低動態電阻Dynamic RDS（on）eff 驗証
  • 零反向恢复电荷
  • 减少分频损耗
  • 在硬开关和软开关电路中实现更高的效率，从而实现：
    • 提高功率密度
    • 减小系统尺寸和重量
    • 整体降低系统成本

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数据手册
TP65H030G4PRS Datasheet
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白皮书
The Fundamental Advantages of Normally-Off D-Mode GaN
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指南
Multi-pulse Testing for GaN Layout Verification
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PCB 设计文件
Ultrafast Overcurrent Breaker Circuit for Prototyping Design Files
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Gen IV Plus 650V SuperGaN FETs

The latest generation of high-voltage Gallium Nitride (GaN) FETs offers superior thermal efficiency and ultra-low power loss, enabling high-density power conversion in multi-kilowatt AI datacenters, industrial systems, and charging applications.

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